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J-GLOBAL ID：201402226148869880   Reference number：14A0371944

Mg₂Si-Siヘテロ接合トンネルFET特性の構造依存性

Author (11)： WU Yan (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  HASEGAWA HARUKI (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  KAKUSHIMA KUNIYUKI (東京工大) ,  WATANABE TAKANOBU (早稲田大 理工) ,  KATAOKA YOSHINORI (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  NISHIYAMA AKIRA (東京工大) ,  SUGII NOBUYUKI (東京工大) ,  WAKABAYASHI HITOSHI (東京工大) ,  TSUTSUI KAZUO (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  NATORI KENJI (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  IWAI HIROSHI (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 61st  Page： ROMBUNNO.20A-D9-2  Publication year： Mar. 03, 2014 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *FET ,  *magnesium compound ,  *silicon ,  *silicide ,  tunnel effect ,  semiconductor thin film ,  *device structure
Semi thesaurus term： magnesium silicide ,  *tunnel FET ,  structure dependence

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： Si ,  ヘテロ接合 ,  トンネルFET ,  構造依存性