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J-GLOBAL ID：201402226734381446   Reference number：14A0891259

Oxidation-ambience-dependent near-interface structure of thermally grown oxide on 4H-SiC

4H-SiCにおける熱酸化界面構造の酸化雰囲気による相違

Author (3)： HIRAI HIROHISA (東大 大学院工学系研究科) ,  KITA KOJI (東大 大学院工学系研究科) ,  KITA KOJI (JST-PRESTO)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 114  Issue： 88(SDM2014 43-61)  Page： 97-100  Publication year： Jun. 12, 2014 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  *hexagonal system ,  thermal oxidation ,  *surface structure ,  *atmosphere (environment) ,  *oxidation ,  *infrared spectroscopy ,  MOSFET ,  silicon dioxide ,  lattice defect ,  lattice distortion ,  wet oxidation ,  etching ,  film thickness ,  power electronics ,  interface structure ,  oxidative atmosphere ,  *structure
Semi thesaurus term： 4H-SiC

JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (15)：

• J. A. Cooper, Jr. and A. K. Agarwal, Proc. IEEE 90, 956 (2002).
• V. V. Afanasev, M. Bassler, G. Pensl, and M. Schulz, Phys. Stat. Sol. (a) 162, 321 (1997).
• D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama, and T. Fuyuki, Appl. Phys. Lett. 96, 203508 (2010).
• K. Fukuda, M. Kato, K. Kojima, amd J. Senzaki, Appl. Phys. Lett. 84, 2088 (2004).
• R. Kosugi, T. Umeda, and Y. Sakuma, Appl. Phys. Lett. 99, 182111 (2011).

Terms in the title (5)： 4H-SiC ,  熱酸化 ,  界面構造 ,  酸化雰囲気 ,  相違