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J-GLOBAL ID：201402230233445255   Reference number：14A1098602

CNW-FETプロセスへの低温バッファー層の影響

Author (10)： KAWAHARA TOSHIO (中部大 工) ,  NAKAGAWA YUKINORI (中部大 工) ,  ONO YASUHIDE (大阪大 産科研) ,  MAEHASHI KENZO (大阪大 産科研) ,  MATSUMOTO KAZUHIKO (大阪大 産科研) ,  OKAMOTO KAZUMASA (北大 大学院) ,  UTSUNOMIYA RISA (日新電機) ,  MATSUBA TERUAKI (日新電機) ,  YOSHIMURA MASAMICHI (豊田工大 工) ,  MATSUOKA YUKI (豊田工大 工)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 75th  Page： ROMBUNNO.18A-PA3-16  Publication year： Sep. 01, 2014 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *FET ,  *nanostructure ,  *carbon material ,  *epitaxy ,  *buffer layer ,  *plasma CVD ,  current-voltage characteristic ,  metallicity ,  semiconductivity ,  *carbon nanowall
Semi thesaurus term： graphoepitaxy ,  CNW-FET

JST classification (2)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： FET ,  プロセス ,  低温 ,  バッファー層