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J-GLOBAL ID：201402242216008761   Reference number：14A1471183

Progress in theoretical approach to InGaN and InN epitaxy: In incorporation efficiency and structural stability

InGaNとInNのエピタキシャル成長に関する理論的なアプローチの進歩:Inの取り込み効率と構造安定性

Author (4)： KANGAWA Yoshihiro (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  ITO Tomonori (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  KOUKITU Akinori (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  KAKIMOTO Koichi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 53  Issue： 10  Page： 100202.1-100202.11  Publication year： Oct. 2014 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOCVD ,  *indium nitride ,  indium compound ,  gallium compound ,  *nitride ,  *epitaxy ,  *stability ,  calculation ,  surface ,  uptake ,  facet ,  zincblende type crystal ,  structural stability ,  ab initio calculation ,  *gallium indium nitride
Semi thesaurus term： *gallium indium nitride ,  表面安定性 ,  縞状

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (67)：

• W. C. Johnson, J. B. Parson, and M. C. Crew, J. Phys. Chem. 36, 2651 (1932).
• A. Addamiano, J. Electrochem. Soc. 108, 1072 (1961).
• H. P. Maruska and J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett. 15, 327 (1969).
• B. B. Kosicki, R. J. Powell, and J. C. Burgiel, Phys. Rev. Lett. 24, 1421 (1970).
• V. Lemos, C. A. Argüello, and R. C. C. Leite, Solid State Commun. 11, 1351 (1972).

Terms in the title (6)： InGaN ,  InN ,  エピタキシャル成長 ,  理論 ,  取り込み ,  構造安定性