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J-GLOBAL ID：201402242805395040   Reference number：14A0682408

Formation of quasi-single crystal Ge on plastic by Au-induced layer-exchange growth

フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法による擬似単結晶Ge/プラスチックの形成

Author (3)： PARK Jong-Hyeok (九大 大学院) ,  MIYAO MASANOBU (九大 大学院) ,  SADO TAIZO (九大 大学院)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 114  Issue： 2(OME2014 1-15)  Page： 17-20  Publication year： Apr. 03, 2014 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *flexible circuit board ,  electronics ,  *single crystal ,  *germanium ,  *low temperature production ,  amorphous semiconductor ,  gold ,  insulating film ,  *laminate structure ,  *interdiffusion ,  *crystal orientation ,  crystal grain size(diameter) ,  *selective growth ,  surface energy
Semi thesaurus term： flexible electronics ,  擬似単結晶 ,  金誘起層交換成長

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (12)：

• M. Miyasaka, K. Makihira, T. Asano, E. Polychroniadis, and J. Stoemenos, Appl. Phys. Lett. 80, 944 (2002).
• H. Kanno, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao, Appl. Phys. Lett. 89, 182120 (2006).
• T. Sadoh, M. Kurosawa, T. Hagihara, K. Toko, and M. Miyao, Electrochem. Solid-State Lett. 14, H274 (2011).
• M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, and M. Miyao, Jpn. J. Appl. Phys. 48, 03B002 (2009).
• M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao, Appl. Phys. Lett. 95, 132103 (2009).

Terms in the title (9)： フレキシブルエレクトロニクス ,  創成 ,  金 ,  誘起 ,  成長 ,  擬似 ,  単結晶 ,  Ge ,  プラスチック