Art

J-GLOBAL ID：201402290592839423   Reference number：14A0823132

Effect of confining filaments on the current-voltage characteristics of resistive change memory by using anodic porous alumina

陽極酸化多孔質アルミナを用いた抵抗変化メモリの電流電圧特性に関する閉込めフィラメントの効果

Author (7)： TANIMOTO Yusuke (Nihon Univ., Tokyo, JPN) ,  OTSUKA Shintaro (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  SHIMIZU Tomohiro (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  SHINGUBARA Shoso (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  WATANABE Tadataka (Nihon Univ., Tokyo, JPN) ,  TAKANO Yoshiki (Nihon Univ., Tokyo, JPN) ,  TAKASE Kouichi (Nihon Univ., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 53  Issue： 6S  Page： 06JF07.1-06JF07.4  Publication year： Jun. 2014 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *alumina ,  *porous medium ,  *RAM ,  anode ,  oxide film ,  current-voltage characteristic ,  anodic oxidation coating ,  porous alumina ,  resistive switching memory ,  *resistance random access memory ,  conversion coating film
Semi thesaurus term： anodic oxide film

JST classification (1)： Electronic recording,magnetic recording,optical recording  (NC06020F)

Reference (47)：

• S. Tehrani, J. M. Slaughter, E. Chen, M. Durlam, J. Shi, and M. DeHerrera, IEEE Trans. Magn. 35, 2814 (1999).
• R. S. Beech, J. A. Anderson, A. V. Pohm, and J. M. Daughton, J. Appl. Phys. 87, 6403 (2000).
• S. Fukami, T. Suzuki, N. Ohshima, K. Nagahara, and N. Ishiwata, J. Appl. Phys. 103, 07E718 (2008).
• W. J. Wang, L. P. Shi, R. Zhao, K. G. Lim, H. K. Lee, T. C. Chong, and Y. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 93, 043121 (2008).
• H. Y. Cheng, T. H. Hsu, S. Raoux, J. Y. Wu, P. Y. Du, M. Breitwisch, Y. Zhu, E. K. Lai, E. Joseph, S. Mittal, R. Cheek, A. Schrott, S. C. Lai, H. L. Lung, and C. Lam, IEDM Tech. Dig., 2011, p. 3.4.1.

Terms in the title (6)： 陽極酸化 ,  多孔質アルミナ ,  抵抗変化メモリ ,  電流電圧特性 ,  閉込め ,  フィラメント