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J-GLOBAL ID：201403001953373159

インプラント用材料及びその製造方法

Inventor： 二川 浩樹 ,  牧平 清超 ,  峯 裕一 ,  阿部 義紀 ,  中谷 達行 ,  岡本 圭司 ,  新田 祐樹
Applicant, Patent owner： 国立大学法人広島大学 ,  トーヨーエイテック株式会社
Agent (12)： 特許業務法人前田特許事務所 ,  前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007316095
Publication number (International publication number)：2009137888
Patent number：5327934
Application date： Dec. 06, 2007
Publication date： Jun. 25, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基材と、 前記基材の表面に形成され、シリコンを含む炭素質薄膜とを備え、 前記炭素質薄膜は、炭素同士が結合したC-C成分及び炭素とシリコンとが結合したSiC成分を含み、 前記SiC成分の比率は、0.06以上、0.5以下であり、 前記炭素質薄膜に含まれるSiO2成分のシリコンと炭素との和に対する比率は、0.05以下であることを特徴とするインプラント用材料。

IPC (2)：

A61K 6/093 ( 200 6.01) ,  A61L 27/00 ( 200 6.01)

FI (2)：

A61K 6/093 ,  A61L 27/00 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• DLC膜、医療器具、人工臓器及びDLC膜の成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-345958   Applicant：株式会社ユーテック
• 特開平1-290611
  
• 人工関節用インプラント
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-177366   Applicant：瑞穂医科工業株式会社
• 炭素質薄膜及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-294273   Applicant：トーヨーエイテック株式会社
• 生体用高分子材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-291877   Applicant：青木秀希, 遠山公男
• 医療用器具及び医療用器具への硬質被膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-181929   Applicant：シチズン時計株式会社
• 口腔内装着体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-165333   Applicant：株式会社国際アパタイト研究所, 学校法人東京電機大学
• チタンおよびその合金製心臓弁における血栓形成能を低下する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-501505   Applicant：サウスウエスト・リサーチ・インスティチュート

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• The mechanical and biocompatibility properties of DLC-Si films prepared by pulsed DC plasma activate
• Evaluation of bacterial adhesion on Si-doped diamond-like carbon films
• Effect of Si-incorporation on wear-corrosion properties of diamond-like carbon films