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J-GLOBAL ID:200903025997378308

炭素質薄膜及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (11): 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007294273
Publication number (International publication number):2009120885
Application date: Nov. 13, 2007
Publication date: Jun. 04, 2009
Summary:
【課題】大きな変形を伴う基材の表面に形成した場合においても、剥離及びクラックが発生しにくく且つ耐蝕性が高い炭素質薄膜を実現できるようにする。【解決手段】炭素質薄膜は、基材の表面に形成され、炭素同士が結合したC-C成分及び炭素とシリコンとが結合したSiC成分を含む膜本体を備えている。膜本体の表面における酸化シリコン成分の比率は、0.05以下である。【選択図】図5
Claim (excerpt):
基材の表面に形成され、炭素同士が結合したC-C成分及び炭素とシリコンとが結合したSiC成分を含む膜本体を備え、 前記膜本体の表面における酸素とシリコンとが結合したSiO2成分の比率は、0.05以下であることを特徴とする炭素質薄膜。
IPC (8):
C23C 16/27 ,  C01B 31/02 ,  A61M 25/01 ,  A61M 25/00 ,  A61L 29/00 ,  A61L 31/00 ,  A61L 27/00 ,  C23C 14/06
FI (8):
C23C16/27 ,  C01B31/02 101Z ,  A61M25/00 450B ,  A61M25/00 304 ,  A61L29/00 Z ,  A61L31/00 Z ,  A61L27/00 P ,  C23C14/06 F
F-Term (66):
4C081AC05 ,  4C081AC08 ,  4C081AC16 ,  4C081BA15 ,  4C081BA17 ,  4C081BB07 ,  4C081BB08 ,  4C081CF132 ,  4C081CF162 ,  4C081CG01 ,  4C081CG05 ,  4C081DC03 ,  4C081EA02 ,  4C081EA06 ,  4C081EA11 ,  4C081EA15 ,  4C167AA01 ,  4C167AA28 ,  4C167AA77 ,  4C167BB06 ,  4C167FF01 ,  4C167FF03 ,  4G146AA01 ,  4G146AA05 ,  4G146AA17 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AC27A ,  4G146AC27B ,  4G146AD02 ,  4G146AD13 ,  4G146AD26 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA38 ,  4G146BA40 ,  4G146BC09 ,  4G146BC10 ,  4G146BC16 ,  4G146MA14 ,  4G146MB03 ,  4K029AA02 ,  4K029AA11 ,  4K029AA23 ,  4K029AA27 ,  4K029BA34 ,  4K029BB10 ,  4K029BD00 ,  4K029CA03 ,  4K029FA04 ,  4K029FA05 ,  4K029FA09 ,  4K029GA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA28 ,  4K030BA37 ,  4K030CA02 ,  4K030CA07 ,  4K030CA13 ,  4K030CA16 ,  4K030DA02 ,  4K030DA06 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030LA11
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (9)
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