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J-GLOBAL ID：201403002419258880

水素含有率取得装置および水素含有率取得方法

Inventor： 藤原 裕之 ,  山口 真二 ,  杉本 克雄
Applicant, Patent owner： 大日本スクリーン製造株式会社 ,  国立大学法人岐阜大学
Agent (1)： 松阪 正弘
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010040035
Publication number (International publication number)：2011174853
Patent number：5397693
Application date： Feb. 25, 2010
Publication date： Sep. 08, 2011
Claim (excerpt)：

【請求項1】 対象物上に形成されたシリコン膜中に含まれるSiHの含有率およびSiH2の含有率を取得する水素含有率取得装置であって、 分光エリプソメータと、 所定のパラメータ群の値と、SiHの含有率およびSiH2の含有率とを関連付ける参照情報を記憶する記憶部と、 前記分光エリプソメータにて対象物上のシリコン膜に対して測定を行うことにより取得された測定スペクトルから前記パラメータ群の値を求め、前記パラメータ群の値および前記参照情報に基づいて、SiHの含有率およびSiH2の含有率を求める含有率演算部と、 を備え、 前記パラメータ群の1つが、基準となるシリコン膜の誘電関数における虚部のピーク値である参照ピーク値と、前記測定スペクトルから導かれる誘電関数における虚部のピーク値との差である第1シフト量であり、 前記パラメータ群の他の1つが、前記参照ピーク値に対応する振動数と、前記測定スペクトルから導かれる誘電関数の虚部のピークにおける振動数との差である第2シフト量であり、 前記参照情報が、前記第1シフト量および前記第2シフト量を変数として、SiHの含有率およびSiH2の含有率のそれぞれを表す関数を含むことを特徴とする水素含有率取得装置。

IPC (2)：

G01N 21/21 ( 200 6.01) ,  G01N 21/27 ( 200 6.01)

FI (2)：

G01N 21/21 Z ,  G01N 21/27 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 磁気記録媒体のカーボン保護膜の評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-157775   Applicant：富士電機株式会社
• 太陽電池用シリコン系薄膜評価方法および太陽電池製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-037408   Applicant：三菱重工業株式会社
• シリコン酸化膜の評価方法及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-380456   Applicant：富士通株式会社
• 半導体シリコン結晶中の酸素濃度評価方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-184560   Applicant：信越半導体株式会社