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J-GLOBAL ID：201403007769931856
電界効果型トランジスタ及び表示装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
阿部 琢磨
, 黒岩 創吾
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2009222514
Publication number (International publication number)：2010161339
Patent number：5538797
Application date： Sep. 28, 2009
Publication date： Jul. 22, 2010
Claim (excerpt)：
【請求項1】ソース電極とドレイン電極と、
積層された半導体層とゲート絶縁層とゲート電極と、を有する電界効果型トランジスタであって、
前記半導体層は、In-Zn-O系酸化物半導体を含有する第1のアモルファス酸化物半導体層と、Ge-In-Zn-O系酸化物半導体を含有する第2のアモルファス酸化物半導体層と、を有し、
前記第1のアモルファス酸化物半導体層が前記ゲート絶縁層に接するように前記第1のアモルファス酸化物半導体層と前記第2のアモルファス酸化物半導体層とが積層されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 618 E
, H01L 29/78 627 B
, H05B 33/14 A
Cited by examiner (2)
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非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2005-325366
Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
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半導体薄膜
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2005-258275
Applicant：キヤノン株式会社
Article cited by the Patent：
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