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J-GLOBAL ID:201403018934112506
ナノクラスター生成装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (3):
小西 富雅
, 中村 知公
, 木村 誠司
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2013112995
Patent number:5493139
Application date: May. 29, 2013
Summary:
【課題】ナノクラスター生成装置において、ナノクラスターのサイズ制御及び構造制御を向上させる。また、サイズ及び構造の少なくとも一方が選択されたナノクラスターの収量および収率を増大させる。
【解決手段】ナノクラスター生成装置10は、真空容器11と、パルス放電を行い、プラズマを発生させるスパッタ源13と、スパッタ源13に対し、パルス状の電力を供給するパルス電源16と、スパッタ源13に対し第1の不活性ガスを供給する第1不活性ガス供給手段17と、真空容器11内に収容されるナノクラスター成長セル12と、ナノクラスター成長セル12内に第2の不活性ガスを導入する第2不活性ガス導入手段18と、を備える。
【選択図】図1
Claim (excerpt):
【請求項1】 真空容器と、
カソードとしてのターゲットを有し、パルス放電によるマグネトロンスパッタを行い、プラズマを発生させるスパッタ源と、
前記スパッタ源に対し、パルス状の電力を供給するパルス電源と、
前記スパッタ源に対し、第1の不活性ガスを供給する第1不活性ガス供給手段と、
前記真空容器内に収容されるナノクラスター成長セルと、
前記ナノクラスター成長セル内に第2の不活性ガスを導入する第2不活性ガス導入手段と、を備えるナノクラスター生成装置。
IPC (1):
FI (1):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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耐剥離性に優れる被覆工具およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2011-243083
Applicant:日立金属株式会社
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クラスターイオンビーム発生装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-011770
Applicant:株式会社つくばナノ・テクノロジー
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薄膜形成装置及び薄膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-316395
Applicant:キヤノン株式会社
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