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J-GLOBAL ID：201403023047490230
インダセン誘導体及びその製造方法、並びに炭素架橋p-フェニレンビニレン誘導体及びその製造方法
辻 勇人
, About 辻 勇人
朱 暁張
About 朱 暁張
Applicant, Patent owner：
国立大学法人 東京大学
About 国立大学法人 東京大学
Agent (1)： 井波 実
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2009178975
Publication number (International publication number)：2011032197
Patent number：5586000
Application date： Jul. 31, 2009
Publication date： Feb. 17, 2011
Claim (excerpt)：
【請求項1】 一般式I(式中、Ar1〜Ar6は各々独立に、置換基を有してもよいアリール基を示し、Ra及びRbは各々独立に、水素又は置換基を有してもよい炭素数1〜8の直鎖又は分岐鎖状のアルコキシ基を示し、E1及びE2は各々独立に、水素、ハロゲン原子、置換基を有してもよい炭素数1〜20の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基、置換基を有してもよいアリール基、及びC(OH)Ar9Ar10基(式中、Ar9及びAr10は各々独立に、置換基を有してもよい炭素数1〜8の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基又は置換基を有してもよいアリール基を示す)からなる群から選ばれる基を示す)で表されるインダセン誘導体。
IPC (7)：
C07C 13/553 ( 200 6.01)
, C07C 1/20 ( 200 6.01)
, C07C 13/62 ( 200 6.01)
, C07C 17/00 ( 200 6.01)
, C07C 29/44 ( 200 6.01)
, C07C 33/36 ( 200 6.01)
, C09K 11/06 ( 200 6.01)
FI (8)：
C07C 13/553 CSP
, C07C 1/20
, C07C 13/62
, C07C 17/00
, C07C 29/44
, C07C 33/36
, C09K 11/06 610
, C09K 11/06 690
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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発光装置及びそれに使用される装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-546416 Applicant：シーディーティーオックスフォードリミテッド -
多環縮環化合物およびそれらの製造法ならびに多環縮環化合物を用いる有機電界発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-313394 Applicant：国立大学法人名古屋大学, チッソ株式会社 -
有機電界発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-127533 Applicant：チッソ株式会社, 国立大学法人名古屋大学
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