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J-GLOBAL ID：201403042300549101

スピントランスファートルク磁気メモリデバイス

Inventor：
バルト・ソレ

About バルト・ソレ

, 
マルク・ヘインス

About マルク・ヘインス

, 
ジェフリー・プルトワ

About ジェフリー・プルトワ


Applicant, Patent owner：
アイメック

About アイメック


Agent (3)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013190354
Publication number (International publication number)：2014110419
Application date： Sep. 13, 2013
Publication date： Jun. 12, 2014
Summary：
【課題】より効率的なSTT磁気メモリデバイスを提供する。【解決手段】トポロジカル絶縁体層(4)および絶縁体層(5)の交互配列した層を含む第1層構造(6)および第2層構造(7)と、第1層構造(6)と第2層構造(7)との間に挟まれ、デバイスの値を表す磁化方向を有する磁気材料(2)とを備え、第1層構造(6)および第2層構造(7)の各トポロジカル絶縁体層(4)は、磁気材料と直接接触しているスピントランスファートルク磁気メモリデバイス(1)が開示される。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
・トポロジカル絶縁体層(4)および絶縁体層(5)の交互配列した層を含む第1層構造(6)および第2層構造(7)と、 ・第1層構造(6)と第2層構造(7)との間に挟まれ、デバイスの値を表す磁化方向を有する磁気材料(2)とを備え、 第1層構造(6)および第2層構造(7)の各トポロジカル絶縁体層(4)は、磁気材料と直接接触している、スピントランスファートルク磁気メモリデバイス(1)。
IPC (5)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12
FI (4)：
H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12
F-Term (13)：
4M119AA17 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD26 ,  5F092AA15 ,  5F092AB06 ,  5F092AC04 ,  5F092AD25 ,  5F092BB42 ,  5F092BB44 ,  5F092BB45 ,  5F092BC42 ,  5F092BC43
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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