金属単結晶薄膜の製造方法、光学デバイスの製造方法及び光学デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川護晃
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013068695
Publication number (International publication number)：2014190932
Application date： Mar. 28, 2013
Publication date： Oct. 06, 2014
Summary：

【課題】高純度で平坦性に優れた金属単結晶薄膜をドライプロセスにより製造する。【解決手段】ドライプロセスにより、単結晶基板1の平滑面上に金属犠牲層4を介して金属単結晶薄膜5を形成する工程と、前記金属単結晶薄膜5を覆って樹脂液を塗布し、支持層6を形成する工程と、前記金属犠牲層4をエッチングして除去し、前記金属単結晶薄膜5を前記単結晶基板1から剥離する工程と、を含むものである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ドライプロセスにより、単結晶基板の平滑面上に金属犠牲層を介して金属単結晶薄膜を形成する工程と、前記金属単結晶薄膜を覆って樹脂液を塗布し、支持層を形成する工程と、前記金属犠牲層をエッチングして除去し、前記金属単結晶薄膜を前記単結晶基板から剥離する工程と、を含むことを特徴とする金属単結晶薄膜の製造方法。

IPC (3)：

G01N 21/41 , C30B 29/02 , C23C 14/14

FI (5)：

G01N21/41 101 , C30B29/02 , C23C14/14 G , C23C14/14 B , C23C14/14 D

F-Term (22)：

2G059AA03 , 2G059EE02 , 2G059JJ01 , 4G077AA03 , 4G077BA01 , 4G077DA01 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077FJ03 , 4G077HA01 , 4G077SA04 , 4G077SB01 , 4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA03 , 4K029BA04 , 4K029BB02 , 4K029BB09 , 4K029BC07 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029DC34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

金属薄膜つきプリズム及びそれを用いた分光分析装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-265219 Applicant：キヤノン株式会社
薄膜電極の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-012113 Applicant：国立大学法人長岡技術科学大学
特開昭52-136865

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