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J-GLOBAL ID：201403049002850618

クラスタ噴射式加工方法

Inventor： 小池 国彦 ,  妹尾 武彦 ,  吉野 裕 ,  東 周平 ,  松尾 二郎 ,  瀬木 利夫 ,  二宮 啓
Applicant, Patent owner： 岩谷産業株式会社 ,  国立大学法人京都大学
Agent (1)： 特許業務法人信友国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010525664
Patent number：5575648
Application date： Aug. 10, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】 反応性ガスと、反応性ガスより低沸点のガスとからなる混合ガスを、液化しない範囲の圧力で噴出部から所定の方向に断熱膨張させながら噴出させ、電気的に中性な反応性クラスタを生成し、前記反応性クラスタを真空処理室内の試料に噴射して、試料表面に化学的な反応による加工を行う ことを特徴とするクラスタ噴射式加工方法。

IPC (6)：

H01L 21/302 ( 200 6.01) ,  H01L 29/84 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 23/522 ( 200 6.01) ,  B81C 1/00 ( 200 6.01)

FI (4)：

H01L 21/302 201 B ,  H01L 29/84 Z ,  H01L 21/88 J ,  B81C 1/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• ガスクラスターおよびガスクラスターイオンの 形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-121982   Applicant：新技術事業団
• 相互接続バイアを改善するためのGCIB処理および改善された相互接続バイア
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-549583   Applicant：エピオンコーポレイション
• 特開昭62-007442
  
• クラスタを利用した乾式洗浄装置及びその方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-149661   Applicant：株式会社ダサンシー・アンド・アイ

Cited by examiner (5)

• ガスクラスターおよびガスクラスターイオンの 形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-121982   Applicant：新技術事業団
• 相互接続バイアを改善するためのGCIB処理および改善された相互接続バイア
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-549583   Applicant：エピオンコーポレイション
• 特開昭62-007442
  
• 特開昭62-007442
  
• クラスタを利用した乾式洗浄装置及びその方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-149661   Applicant：株式会社ダサンシー・アンド・アイ