相互接続バイアを改善するためのGCIB処理および改善された相互接続バイア

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：廣江武典 , 宇野健一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003549583
Publication number (International publication number)：2005512312
Application date： Oct. 11, 2002
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：

混合ガスからなるガスクラスタイオンを用いる反応性ガスクラスタイオンビーム処理によって、集積回路(900)における電気的相互接続バイアおよび/またはトレンチの底部をクリーニングおよび/またはエッチングし、これによって、従来の処理により得られてきたものよりも、接触抵抗が小さく信頼性が高い相互接続構造(902)を形成する。一実施例において、電気的相互接続バイア構造(902)に、誘電性または高抵抗の拡散バリア材料(702)を用いる。

Claim (excerpt)：

基板内部を通って基部または底部まで延びる、トレンチやバイアのようなリセスを処理する方法であって、ガスクラスタイオンビームを前記リセスの内部を通して前記基部または底部に直接あてるステップよりなることを特徴とするリセスを処理する方法。

IPC (2)：

H01L21/302 , H01L21/768

FI (2)：

H01L21/302 201B , H01L21/90 A

F-Term (28)：

5F004AA09 , 5F004BA11 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB08 , 5F004DB12 , 5F004EB01 , 5F004EB02 , 5F004EB04 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033MM02 , 5F033NN05 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ15 , 5F033QQ37 , 5F033QQ92 , 5F033QQ93 , 5F033QQ96 , 5F033WW05 , 5F033XX09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

集積回路の金属層間の低抵抗コンタクトおよびその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-191112 Applicant：シャープ株式会社, シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド
表面処理方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-281039 Applicant：株式会社日立製作所
表面加工方法及び表面平滑化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-148439 Applicant：双葉電子工業株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Jaurnal of Vacuum Science & Technology B, 1996, Vol.14, No.6, p.3951-3954

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