半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人YKI国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012501804
Patent number：5464458
Application date： Feb. 23, 2011
Claim (excerpt)：

【請求項1】ガラスまたはフィルム状の基板と、基板の面に平行に(111)面を有して形成されるポリシリコン半導体層と、ポリシリコン半導体層の(111)面を被覆する絶縁膜であってポリシリコンの(111)面上における各結晶粒の粒界で囲まれた結晶粒面積よりも小さい開口面積を有する複数の開口部が設けられる開口部付絶縁膜と、開口部付絶縁膜の開口部を核として、ポリシリコン半導体層の(111)面に垂直に延びるIII-V族化合物半導体の複数のナノワイヤと、を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (10)：

H01L 33/06 ( 201 0.01) , H01L 33/24 ( 201 0.01) , H01L 33/30 ( 201 0.01) , H01S 5/343 ( 200 6.01) , H01S 5/042 ( 200 6.01) , H01L 31/10 ( 200 6.01) , H01L 21/205 ( 200 6.01) , C30B 29/62 ( 200 6.01) , H01L 29/06 ( 200 6.01) , H01L 31/06 ( 201 2.01)

FI (11)：

H01L 33/00 112 , H01L 33/00 174 , H01L 33/00 184 , H01S 5/343 ZNM , H01S 5/042 612 , H01L 31/10 A , H01L 21/205 , C30B 29/62 U , H01L 29/06 601 N , H01L 31/04 E , H01L 29/06 601 W

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

シリコンリッチ酸化物を含むナノワイヤーおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-089485 Applicant：三星電子株式会社

Cited by examiner (1)

シリコンリッチ酸化物を含むナノワイヤーおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-089485 Applicant：三星電子株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

Cited by examiner (2)

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