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J-GLOBAL ID：201403066715450492
トレンチショットキバリアダイオード及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松尾 誠剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012286204
Publication number (International publication number)：2014127713
Application date： Dec. 27, 2012
Publication date： Jul. 07, 2014
Summary：
【課題】耐圧VBRを確保しながら順方向降下電圧VFと逆方向もれ電流IRのトレードオフを大幅に改善することが可能なトレンチショットキバリアダイオードを提供する。【解決手段】メサ領域の幅Wmが1.5μm以下であり、かつ、活性領域において200A/cm2の電流密度で順方向電流を流したとき、「導電体層120、誘電体層118及びメサ領域124により構成されるコンデンサC」に十分な量の電荷が充電される結果、メサ領域124に存在する総キャリア量Qaccと、メサ領域124の不純物に起因するキャリア量Qdopとが所定の関係式を満たすことを特徴とするトレンチショットキバリアダイオード100。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1導電型不純物を高濃度で含有する第1半導体層及び前記第1半導体層よりも第1導電型不純物を低濃度で含有する第2半導体層を有する半導体基板と、
前記半導体基板の第1主面側に形成されトレンチ内に誘電体層を介して導電体層が埋め込まれた構造を有する複数のトレンチ領域と、
前記複数のトレンチ領域が設けられていない部分に設けられたメサ領域と、
前記半導体基板の第1主面上に設けられ前記メサ領域との間でショットキ接合を形成するバリア金属層とを備えるトレンチショットキバリアダイオードであって、
前記メサ領域の幅Wmが1.5μm以下であり、かつ、
活性領域において200A/cm2の電流密度で順方向電流を流したとき、「前記導電体層、前記誘電体層及び前記メサ領域により構成されるコンデンサ」に十分な量の電荷が充電される結果、前記メサ領域に存在する総キャリア量Qaccと、前記メサ領域の不純物に起因するキャリア量Qdopとが以下の関係式(1)〜(3)のいずれかを満たすことを特徴とするトレンチショットキバリアダイオード。
(1)トレンチショットキバリアダイオードの耐圧が100V以上である場合
Qacc/Qdop≧2.0
(2)トレンチショットキバリアダイオードの耐圧が60V以上100V未満の場合
Qacc/Qdop≧1.5
(3)トレンチショットキバリアダイオードの耐圧が40V以上60V未満の場合
Qacc/Qdop≧1.25
IPC (2)：
FI (1)：
F-Term (19)：
4M104AA01
, 4M104AA03
, 4M104AA04
, 4M104BB01
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104CC03
, 4M104DD06
, 4M104DD43
, 4M104DD75
, 4M104EE02
, 4M104EE16
, 4M104FF02
, 4M104FF04
, 4M104FF06
, 4M104FF13
, 4M104GG03
, 4M104GG18
, 4M104HH20
Cited by examiner (3)
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半導体装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2011-067475
Applicant：株式会社東芝
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トレンチショットキー整流器
Gazette classification：公表公報
Application number：特願2003-502893
Applicant：ゼネラルセミコンダクター,インク.
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ショットキー障壁整流器およびその製造方法
Gazette classification：公表公報
Application number：特願平9-540963
Applicant：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
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