半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：伊丹勝 , 田村和彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011067475
Publication number (International publication number)：2012204579
Application date： Mar. 25, 2011
Publication date： Oct. 22, 2012
Summary：

【課題】リーク電流を抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】一態様に係る半導体装置は、第1導電型の半導体層、複数のトレンチ、絶縁層、導電層、第1半導体拡散層、及びアノード電極を有する。半導体層は、半導体基板上に形成され第1の不純物濃度よりも小さい第2の不純物濃度を有する。複数のトレンチは、半導体層の上面から下方に延びるように半導体層中に形成されている。導電層は、絶縁層を介してトレンチを埋めるように形成され且つ半導体層の上面から第1の位置まで下方に延びる。第1半導体拡散層は、複数のトレンチの間に位置する半導体層の上面から第2の位置に達し且つ第2の不純物濃度より小さい第3の不純物濃度を有する。アノード電極は、第1半導体拡散層とショットキー接合されている。半導体層の上面から第2の位置までの長さは、半導体層の上面から第1の位置までの長さの1/2以下である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

カソード電極と、前記カソード電極と電気的に接続されると共に第1の不純物濃度を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成され前記第1の不純物濃度よりも小さい第2の不純物濃度を有する第1導電型の半導体層と、前記半導体層の上面から下方に延びるように前記半導体層中に形成された複数のトレンチと、前記トレンチの内壁に沿って形成された絶縁層と、前記絶縁層を介して前記トレンチを埋めるように形成され且つ前記半導体層の上面から第1の位置まで下方に延びる導電層と、前記複数のトレンチの間に位置する前記半導体層の上面から第2の位置に達し且つ前記第2の不純物濃度より小さい第3の不純物濃度を有する第1半導体拡散層と、前記第1半導体拡散層及び前記導電層の上面に形成され且つ前記第1半導体拡散層とショットキー接合されたアノード電極とを備え、前記半導体層の上面から前記第2の位置までの長さは、前記半導体層の上面から前記第1の位置までの長さの1/2以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/872 , H01L 29/47

FI (1)：

H01L29/48 F

F-Term (11)：

4M104BB01 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB40 , 4M104DD57 , 4M104EE15 , 4M104FF13 , 4M104FF31 , 4M104FF32 , 4M104GG03 , 4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-205465 Applicant：松下電器産業株式会社
整流用半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-299773 Applicant：新電元工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-076043 Applicant：株式会社東芝

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