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J-GLOBAL ID：201403076542257930

半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム

Inventor： ▲ひろせ▼ 義朗 ,  佐野 敦 ,  原田 勝吉 ,  島本 聡
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Agent (4)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012199536
Publication number (International publication number)：2014056871
Application date： Sep. 11, 2012
Publication date： Mar. 27, 2014
Summary：

【課題】 低温領域において、HFに対する耐性が高く、誘電率の低い薄膜を、高い生産性で形成する。【解決手段】 基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む原料ガスを供給する工程と、基板に対してボラジン化合物を含む反応ガスを供給する工程と、を含むサイクルを、ボラジン化合物におけるボラジン環骨格が保持される条件下で、所定回数行うことで、基板上に、所定元素およびボラジン環骨格を含む薄膜を形成する。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

基板に対して所定元素およびハロゲン基を含む原料ガスを供給する工程と、 前記基板に対してボラジン化合物を含む反応ガスを供給する工程と、 を含むサイクルを、前記ボラジン化合物におけるボラジン環骨格が保持される条件下で、所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素および前記ボラジン環骨格を含む薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/455

FI (4)：

H01L21/318 B ,  H01L21/31 C ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

F-Term (36)：

4K030AA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AC03 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045DP19 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BC20 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF24 ,  5F058BF26 ,  5F058BF30 ,  5F058BF32 ,  5F058BF37

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 絶縁性被膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-317569   Applicant：日立化成工業株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-268002   Applicant：株式会社日立国際電気
• プラズマ成膜装置及び方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-042554   Applicant：三菱重工業株式会社, 株式会社日本触媒

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Use of SiBN and SiBON Films Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition from Borazine as I