ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：牧野琢磨
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2009233602
Publication number (International publication number)：2011082353
Patent number：5541664
Application date： Oct. 07, 2009
Publication date： Apr. 21, 2011
Claim (excerpt)：

【請求項1】ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性計測方法であって、ワイドギャップ半導体の表面に、当該ワイドギャップ半導体とショットキー接合が可能な透光性を有する有機金属膜を形成するショットキー電極形成工程を備え、単色光照射手段により、前記有機金属膜が形成されたワイドギャップ半導体に対し前記有機金属膜側から所定の波長の単色光を所定のタイミングと強度で照射し、電圧パルス発生手段により、前記有機金属膜が形成されたワイドギャップ半導体に所定のタイミングで所定電圧強度のパルス電圧を印加し、インピーダンス計測手段により、前記有機金属膜が形成されたワイドギャップ半導体のインピーダンスを検出し、前記パルス電圧印加後の所定波長の単色光照射環境下での前記インピーダンスに基づいて、照射した前記単色光の波長と、ショットキー電極直下に形成される電子空乏層のキャパシタンス又はコンダクタンスの変化率との対応関係により前記ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性を評価することを特徴とするワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性計測方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 ( 200 6.01) , G01N 21/00 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 21/66 L , H01L 21/66 E , G01N 21/00 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭48-088873
特開昭59-143339
半導体のトラップ評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-264334 Applicant：株式会社デンソー

Show all

Return to Previous Page