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J-GLOBAL ID：201403088000297879

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 井上 公 ,  島 久
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010208052
Publication number (International publication number)：2012064775
Patent number：5522688
Application date： Sep. 16, 2010
Publication date： Mar. 29, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 チャンネル層を構成するペロブスカイト構造の複合酸化物単結晶基板と、該複合酸化物単結晶基板上にパラキシリレンのポリマー膜及び酸化タンタルのアモルファス薄膜がこの順に積層された積層構造からなるゲート絶縁膜とを有することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/49 ( 200 6.01) ,  H01L 29/423 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01)

FI (6)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/58 G ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/50 M

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-339454   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-022363   Applicant：松下電器産業株式会社
• 配線基板、圧電性セラミック素子及びそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-130617   Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
• 絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-317413   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Cited by examiner (4)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-339454   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-022363   Applicant：松下電器産業株式会社
• 配線基板、圧電性セラミック素子及びそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-130617   Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
• 絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-317413   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Low temperature metallic state induced by electrostatic carrier doping of SrTiO3

Cited by examiner (1)

• Low temperature metallic state induced by electrostatic carrier doping of SrTiO3