半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部毅巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012237735
Publication number (International publication number)：2014090008
Application date： Oct. 29, 2012
Publication date： May. 15, 2014
Summary：

【課題】溝により囲まれたチップの内側の領域の電解メッキ処理ができなくなる不具合の発生を抑制する。【解決手段】素子領域12が形成された半導体基板11上に、表面保護膜15を形成し、表面保護膜15に、素子領域12を囲う溝16と、素子領域15の入出力端子13を露出する開口部とを形成する。溝16は、第1の幅で形成されている領域16-1と、第1の幅よりも広い第2の幅で形成されている領域16-2と、を有する。これにより、溝により囲まれたチップの内側の領域の電解メッキ処理ができなくなる不具合の発生を抑制できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

素子領域が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、前記素子領域を囲う溝と前記素子領域の入出力端子を露出する開口部とが形成された表面保護膜と、を有し、前記溝は、第1の幅で形成されている領域と、前記第1の幅よりも広い第2の幅で形成されている領域と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 21/60

FI (3)：

H01L21/88 T , H01L21/88 S , H01L21/92 604B

F-Term (20)：

5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033MM08 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS15 , 5F033UU03 , 5F033VV03 , 5F033VV07 , 5F033XX02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-084728 Applicant：パナソニック株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-433603 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-330698 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ

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