Geクラスレートの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：神谷英昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012185015
Publication number (International publication number)：2014043599
Application date： Aug. 24, 2012
Publication date： Mar. 13, 2014
Summary：

【課題】本発明はGeクラスレートの新規な製造方法に係わるものであって、デバイスに容易に応用可能な膜状で合成するとともに、その結晶配向性をも制御することができる製造方法を提案することを目的とする。【解決手段】GeウエハとNaとを、5〜20mmの間隔をおいて保持し、不活性ガスの雰囲気下300〜480°Cの温度で30分〜10時間加熱する工程の後、10-2Pa以下の陰圧下で200〜350°Cの温度により2〜72時間加熱する工程を経てII型Geクラスレートを製造する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

GeウエハとNaとを、5〜20mmの間隔をおいて保持し、不活性ガスの雰囲気下300〜480°Cの温度で30分〜10時間加熱する工程の後、 10-2Pa以下の陰圧下で200〜350°Cの温度により2〜72時間加熱する工程、を経てII型Geクラスレートを製造する方法。

IPC (1)：

C22F 1/16

FI (1)：

C22F1/16 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

クラスレート化合物薄膜の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-105106 Applicant：日本電気株式会社
クラスレート化合物薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-093305 Applicant：トヨタ自動車株式会社, 国立大学法人名古屋工業大学
Siクラスレートの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-091814 Applicant：国立大学法人岐阜大学

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