Pat
J-GLOBAL ID:201403097852478968

ハイドロゲルアレイ基板及び前記基板の製造方法、並びに脂質二分子膜アレイ基板及び前記基板の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人 志賀国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2013050364
Publication number (International publication number):2014178121
Application date: Mar. 13, 2013
Publication date: Sep. 25, 2014
Summary:
【課題】金属陽イオンを用いずにベシクルを展開し、ハイドロゲルが充填された穴部上に脂質二分子膜を配置することが可能なハイドロゲルアレイ基板及びその製造方法、並びに、前記穴部上に脂質二分子膜が配置された脂質二分子膜アレイ基板及びその製造方法の提供。【解決手段】[1]基板10と、前記基板の表面に配列された複数の穴部20と、前記穴部に充填された電荷を有するハイドロゲル21と、が少なくとも備えられているハイドロゲルアレイ基板。[2]正電荷を有するハイドロゲルが充填された前記穴部と、負電荷を有するハイドロゲルが充填された前記穴部と、がそれぞれ同一基板上に配列されている前記ハイドロゲルアレイ基板。[3]前記穴部に充填されている前記ハイドロゲルの電荷とは反対の電荷を有する脂質二分子膜30が、前記穴部の開口部25を覆うように配置されている脂質二分子膜アレイ基板4。【選択図】図4
Claim (excerpt):
基板と、 前記基板の表面に配列された複数の穴部と、 前記穴部に充填された電荷を有するハイドロゲルと、 が少なくとも備えられていることを特徴とするハイドロゲルアレイ基板。
IPC (5):
G01N 33/548 ,  G01N 33/544 ,  G01N 33/543 ,  G01N 37/00 ,  C12M 1/00
FI (6):
G01N33/548 Z ,  G01N33/544 Z ,  G01N33/543 525U ,  G01N33/543 525W ,  G01N37/00 102 ,  C12M1/00 A
F-Term (5):
4B029AA21 ,  4B029AA27 ,  4B029BB15 ,  4B029CC02 ,  4B029CC03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
Show all
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page