Art

J-GLOBAL ID：201502210611738581   Reference number：15A1202654

Photocathode for hydrogen generation using 3C-SiC epilayer grown on vicinal off-angle 4H-SiC substrate

微傾斜偏角4H-SiC基板上に成長させた3C-SiCを用いた水素発生用の光電陰極

Author (3)： ICHIKAWA Naoto (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  KATO Masashi (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  ICHIMURA Masaya (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 8  Issue： 9  Page： 091301.1-091301.3  Publication year： Sep. 2015 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  semiconductor thin film ,  semiconductor material ,  *photoelectric cathode ,  photocurrent ,  *generation ,  decomposition reaction ,  Microscopy ,  Raman spectrum ,  time dependence ,  water decomposition ,  *3C-silicon carbide
Semi thesaurus term： *3C-SiC ,  4H-SiC ,  *hydrogen evolution

JST classification (1)： Photoemission and photoelectrons  (BM09030D)

Reference (17)：

• J. K. Reddy, K. Lalitha, P. V. L. Reddy, G. Sadanandam, M. Subrahmanyam, and V. D. Kumari, Catal. Lett. 144, 340 (2014).
• C. Das, P. Roy, M. Yang, H. Jha, and P. Schmuki, Nanoscale 3, 3094 (2011).
• S. U. M. Khan, M. Al-shahry, and W. B. Ingler, Jr., Science 297, 2243 (2002).
• R. S. Pessoa, M. A. Fraga, L. V. Santos, M. Massi, and H. S. Maciel, Mater. Sci. Semicond. Process. 29, 56 (2015).
• J. Benton, J. Bai, and T. Wang, Appl. Phys. Lett. 102, 173905 (2013).

Terms in the title (6)： 偏角 ,  4H-SiC ,  成長 ,  3C-SiC ,  水素発生 ,  光電陰極