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J-GLOBAL ID：201502215040316376   Reference number：15A0841941

High-efficiency impurity activation by precise control of cooling rate during atmospheric pressure thermal plasma jet annealing of 4H-SiC wafer

4H-SiCウエハの大気圧熱プラズマジェット熱処理の際の冷却速度の精密な制御による高効率不純物活性化

Author (6)： MARUYAMA Keisuke (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  HANAFUSA Hiroaki (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  ASHIHARA Ryuhei (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  HAYASHI Shohei (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  MURAKAMI Hideki (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  HIGASHI Seiichiro (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 54  Issue： 6S2  Page： 06GC01.1-06GC01.8  Publication year： Jun. 2015 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  *plasma jet ,  cooling velocity ,  activation ,  impurity ,  *heat treatment ,  Aluminum ,  phosphorus ,  arsenic ,  electrical resistivity ,  carrier density ,  *atmospheric pressure plasma jet
Semi thesaurus term： *4H-SiC

JST classification (2)： Applications of plasma  (BJ02110K) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (36)：

• H. Matsunami and T. Kimoto, Mater. Sci. Eng. R 20, 125 (1997).
• M. V. Rao, Solid-State Electron. 47, 213 (2003).
• A. Shima and A. Hiraiwa, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 5708 (2006).
• M. Satoh, Mater. Sci. Forum 389-393, 773 (2002).
• Y. Negoro, T. Kimoto, H. Matsunami, and G. Pensl, Mater. Sci. Forum 527-529, 843 (2006).

Terms in the title (9)： 4H-SiC ,  ウエハ ,  大気圧 ,  プラズマジェット ,  熱処理 ,  冷却速度 ,  高効率 ,  不純物 ,  活性化