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J-GLOBAL ID：201502234005893534   Reference number：15A0700844

Low-frequency noise reduction in vertical MOSFETs having tunable threshold voltage fabricated with 60nm CMOS technology on 300mm wafer process

300mmウェハーに60nmCMOS技術で作製した閾電圧が調整出来る垂直MOSFETsに於ける低周波ノイズの削減

Author (7)： IMAMOTO Takuya (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IMAMOTO Takuya (JST-ACCEL, Sendai, JPN) ,  MA Yitao (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MURAGUCHI Masakazu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MURAGUCHI Masakazu (JST-ACCEL, Sendai, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (JST-ACCEL, Sendai, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 54  Issue： 4S  Page： 04DC11.1-04DC11.7  Publication year： Apr. 2015 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,  N-type semiconductor ,  P-type semiconductor ,  wafer ,  *1/f noise ,  *low frequency noise(signal) ,  *noise reduction ,  characteristic ,  coefficient ,  ratio ,  threshold ,  doping ,  work function ,  voltage ,  series connection
Semi thesaurus term： *垂直MOSFET ,  *complementary metal oxide semiconductor field effect transistor ,  Si wafer ,  flicker noise ,  DC特性 ,  low frequency noise ,  subthreshold swing ,  on-off ratio ,  bias voltage

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (44)：

• International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS): Front End Processes (FEP) 2011 Edition [http://www.itrs.net/Links/2011ITRS/Home2011.htm].
• A. Asenov, VLSI Symp. Tech. Dig., 2007, p. 86.
• T. Tsunomura, A. Nishida, and T. Hiramoto, IEEE Trans. Electron Devices 56, 2073 (2009).
• A. Cathignol, B. Cheng, D. Chanemougame, A. R. Brown, K. Rochereau, G. Ghibaudo, and A. Asenov, IEEE Trans. Electron Devices 29, 609 (2008).
• M. Kanno, A. Shibuya, M. Matsumura, K. Tamura, H. Tsuno, S. Mori, Y. Fukuzaki, T. Gocho, H. Ansai, and N. Nagashima, VLSI Symp. Tech. Dig., 2007, p. 88.

Terms in the title (5)： 300mmウェハー ,  作製 ,  閾電圧 ,  垂直 ,  低周波ノイズ