Art

J-GLOBAL ID：201502257366310010   Reference number：15A0671450

Fabrication of high-k/metal-gate MoS₂ field-effect transistor by device isolation process utilizing Ar-plasma etching

Arプラズマエッチングを利用した素子分離プロセスによるhigh-k/金属ゲートMoS₂電界効果トランジスタの作製

Author (8)： NINOMIYA Naruki (Yokohama National Univ.(YNU), Yokohama, JPN) ,  MORI Takahiro (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  UCHIDA Noriyuki (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  WATANABE Eiichiro (National Inst. Materials Sci.(NIMS), Ibaraki, JPN) ,  TSUYA Daiju (National Inst. Materials Sci.(NIMS), Ibaraki, JPN) ,  MORIYAMA Satoshi (National Inst. Materials Sci.(NIMS), Ibaraki, JPN) ,  TANAKA Masatoshi (Yokohama National Univ.(YNU), Yokohama, JPN) ,  ANDO Atsushi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 54  Issue： 4  Page： 046502.1-046502.4  Publication year： Apr. 2015 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *molybdenum sulfide ,  compound semiconductor ,  dielectric thin film ,  metal ,  *gate (semiconductor) ,  *plasma etching ,  Argon ,  *MOSFET ,  ion etching ,  *insulating film ,  *hafnium oxide ,  *capacitance-voltage characteristic ,  *carrier mobility ,  separation ,  ratio ,  coefficient ,  gate dielectric film ,  high dielectric constant film
Semi thesaurus term： high-k thin film ,  on-off ratio ,  subthreshold swing

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (30)：

• International Technology Roadmap for Semiconductors [http://www.itrs.net/].
• K. Uchida, H. Watanabe, A. Kinoshita, J. Koga, T. Numata, and S. Takagi, IEDM Tech. Dig., 2002, p. 47.
• Q. H. Wang, K. Kalantar-Zadeh, A. Kis, J. N. Coleman, and M. S. Strano, Nat. Nanotechnol. 7, 699 (2012).
• K. F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, and T. F. Heinz, Phys. Rev. Lett. 105, 136805 (2010).
• B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, and A. Kis, Nat. Nanotechnol. 6, 147 (2011).

Terms in the title (8)： Ar ,  プラズマエッチング ,  素子分離 ,  プロセス ,  金属ゲート ,  MoS2 ,  電界効果トランジスタ ,  作製