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J-GLOBAL ID:201503001570961489
水素応答素子
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大谷 嘉一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2014022347
Publication number (International publication number):2015148551
Application date: Feb. 07, 2014
Publication date: Aug. 20, 2015
Summary:
【課題】水素濃度変化に対する応答性に優れた水素応答素子ならびにこの水素応答素子を用いた水素ガスセンサ及びリードスイッチを提供する。【解決手段】Pdと鉄属元素のいずれか1つ以上との合金であって、厚さ1μm以下の薄膜又は平均粒径100μm以下の微粒子からなる。前記合金はFe,Co,Niのうち、1つ以上の合計元素の割合が4〜20at%の範囲であることを特徴とする水素応答素子。【選択図】図1
Claim (excerpt):
Pdと鉄属元素のいずれか1つ以上との合金であって、厚さ1μm以下の薄膜又は平均粒径100μm以下の微粒子からなることを特徴とする水素応答素子。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (4):
2G053AA04
, 2G053AB06
, 2G053BA06
, 2G053BB01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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水素センサー及びその製造方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2011-547833
Applicant:インダストリー-アカデミックコーペレイションファウンデイション,ヨンセイユニバーシティ
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リードスイッチの製造方法及びリードスイッチ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2012-133095
Applicant:株式会社沖センサデバイス
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水素ガス検知膜及び水素ガスセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-149991
Applicant:松下電器産業株式会社
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水素ガスセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-137919
Applicant:井上明久, トピー工業株式会社
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