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J-GLOBAL ID：201503004116351098

Ge系半導体装置、その製造方法及び光インターコネクトシステム

Inventor： 奥村 滋一 ,  田中 有
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
Agent (3)： 土井 健二 ,  林 恒徳 ,  眞鍋 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014101628
Publication number (International publication number)：2015220290
Application date： May. 15, 2014
Publication date： Dec. 07, 2015
Summary：

【課題】Ge系半導体装置、その製造方法及び光インターコネクトシステムに関し、低温成長層中におけるキャリアのトラップによる効率低下を低減する。【解決手段】表面が単結晶Si層4である基板1の単結晶Si層4上にi型SixGe1-x層6(但し、0<x<1)を介してpn接合或いはpin接合のいずれかが形成されたSiyGe1-y層7(但し、0≦y<x)を設ける。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

表面が単結晶Si層である基板と、 前記単結晶Si層上に設けたi型SixGe1-x層(但し、0<x<1)と、 前記i型SixGe1-x層に設けられて、p型層/n型層からなるpn接合或いはp型層/i型層/n型層からなるpin接合のいずれかが形成されたSiyGe1-y層(但し、0≦y<x)と、 前記p型層及びn型層に形成された電極と を有することを特徴とするGe系半導体装置。

IPC (6)：

H01L 31/10 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/30 ,  G02F 1/025 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (6)：

H01L31/10 A ,  G02B6/12 B ,  G02B6/30 ,  G02F1/025 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

F-Term (79)：

2H137AA05 ,  2H137AA11 ,  2H137AB09 ,  2H137AC01 ,  2H137BA01 ,  2H137BA31 ,  2H137BA41 ,  2H137BA47 ,  2H137BA53 ,  2H137BB02 ,  2H137BB12 ,  2H137BB25 ,  2H147AB04 ,  2H147AB05 ,  2H147AB09 ,  2H147AB10 ,  2H147BA01 ,  2H147BA05 ,  2H147BB02 ,  2H147BD03 ,  2H147BE04 ,  2H147CD02 ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147FA03 ,  2H147FA05 ,  2H147FB01 ,  2H147FC04 ,  2H147FE07 ,  2H147FF07 ,  2K102AA20 ,  2K102BA02 ,  2K102BB01 ,  2K102BC04 ,  2K102BD02 ,  2K102CA30 ,  2K102DA05 ,  2K102DB01 ,  2K102DC07 ,  2K102DD03 ,  2K102EB20 ,  2K102EB29 ,  5F045AA06 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC19 ,  5F045AD07 ,  5F045AD10 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045EB15 ,  5F049MA03 ,  5F049MA04 ,  5F049MB03 ,  5F049NA04 ,  5F049NB01 ,  5F049PA03 ,  5F049PA07 ,  5F049PA11 ,  5F049PA14 ,  5F049QA02 ,  5F049QA04 ,  5F049QA08 ,  5F049SS03 ,  5F049TA13 ,  5F049TA14 ,  5F152LL03 ,  5F152LN03 ,  5F152MM12 ,  5F152NN03 ,  5F152NN27 ,  5F152NP04 ,  5F152NQ04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 高速CMOS共存Ge-オン-インシュレータ光検出器の構造および製作方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2007-500920   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 特開昭63-122285
  
• 特表昭61-500466
  
• 電界効果デバイス用高速Geチャネル・ヘテロ構造
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-604467   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 光送信器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-125057   Applicant：富士通株式会社
• 特開平2-196474
  
• 半導体構造および製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2010-519893   Applicant：エージェンシーフォーサイエンス,テクノロジーアンドリサーチ
• Si/SiGe光検知器用の(110)シリコン基板上の垂直側壁の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-111008   Applicant：シャープ株式会社
• 光モジュールおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-221548   Applicant：日本電信電話株式会社, 国立大学法人東京大学

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Fabrication and Modeling of Gigahertz Photodetectors in Heteroepitaxial Ge-on-Si Using a Graded Buff