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J-GLOBAL ID:201503004417439845

接合材料及びそれを用いた半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人セントクレスト国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2014015155
Publication number (International publication number):2015141860
Application date: Jan. 30, 2014
Publication date: Aug. 03, 2015
Summary:
【課題】接合強度が高い接合層を低温(具体的には300°C以下)で形成することが可能な接合材料を提供すること。【解決手段】粒子径が1000nm以下のCu粒子からなりかつ平均粒子径が50nm〜1000nmであるCuナノ粒子と、平均粒子径が1nm〜50nmである微細CuNi合金ナノ粒子とからなる金属ナノ粒子混合物を含有しており、前記金属ナノ粒子混合物における前記微細CuNi合金ナノ粒子の含有量が0.1〜29質量%であり、かつ、前記金属ナノ粒子混合物の含有量が15質量%以上であることを特徴とする接合材料。【選択図】なし
Claim (excerpt):
粒子径が1000nm以下のCu粒子からなりかつ平均粒子径が50nm〜1000nmであるCuナノ粒子と、平均粒子径が1nm〜50nmである微細CuNi合金ナノ粒子とからなる金属ナノ粒子混合物を含有しており、前記金属ナノ粒子混合物における前記微細CuNi合金ナノ粒子の含有量が0.1〜29質量%であり、かつ、前記金属ナノ粒子混合物の含有量が15質量%以上であることを特徴とする接合材料。
IPC (5):
H01B 1/00 ,  B22F 1/00 ,  C22C 9/06 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/52
FI (7):
H01B1/00 L ,  B22F1/00 L ,  B22F1/00 J ,  C22C9/06 ,  H01B1/00 K ,  H01L21/60 321E ,  H01L21/52 B
F-Term (23):
4K018BA02 ,  4K018BA04 ,  4K018BB01 ,  4K018BB03 ,  4K018BB04 ,  4K018BB05 ,  4K018BC12 ,  4K018BC29 ,  4K018BD04 ,  4K018KA32 ,  5F047AA10 ,  5F047AA11 ,  5F047BA14 ,  5F047BB13 ,  5F047BB16 ,  5F047BB18 ,  5F047BC40 ,  5G301DA06 ,  5G301DA10 ,  5G301DA42 ,  5G301DD01 ,  5G301DD03 ,  5G301DE01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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