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J-GLOBAL ID:201503004417439845
接合材料及びそれを用いた半導体装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人セントクレスト国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2014015155
Publication number (International publication number):2015141860
Application date: Jan. 30, 2014
Publication date: Aug. 03, 2015
Summary:
【課題】接合強度が高い接合層を低温(具体的には300°C以下)で形成することが可能な接合材料を提供すること。【解決手段】粒子径が1000nm以下のCu粒子からなりかつ平均粒子径が50nm〜1000nmであるCuナノ粒子と、平均粒子径が1nm〜50nmである微細CuNi合金ナノ粒子とからなる金属ナノ粒子混合物を含有しており、前記金属ナノ粒子混合物における前記微細CuNi合金ナノ粒子の含有量が0.1〜29質量%であり、かつ、前記金属ナノ粒子混合物の含有量が15質量%以上であることを特徴とする接合材料。【選択図】なし
Claim (excerpt):
粒子径が1000nm以下のCu粒子からなりかつ平均粒子径が50nm〜1000nmであるCuナノ粒子と、平均粒子径が1nm〜50nmである微細CuNi合金ナノ粒子とからなる金属ナノ粒子混合物を含有しており、前記金属ナノ粒子混合物における前記微細CuNi合金ナノ粒子の含有量が0.1〜29質量%であり、かつ、前記金属ナノ粒子混合物の含有量が15質量%以上であることを特徴とする接合材料。
IPC (5):
H01B 1/00
, B22F 1/00
, C22C 9/06
, H01L 21/60
, H01L 21/52
FI (7):
H01B1/00 L
, B22F1/00 L
, B22F1/00 J
, C22C9/06
, H01B1/00 K
, H01L21/60 321E
, H01L21/52 B
F-Term (23):
4K018BA02
, 4K018BA04
, 4K018BB01
, 4K018BB03
, 4K018BB04
, 4K018BB05
, 4K018BC12
, 4K018BC29
, 4K018BD04
, 4K018KA32
, 5F047AA10
, 5F047AA11
, 5F047BA14
, 5F047BB13
, 5F047BB16
, 5F047BB18
, 5F047BC40
, 5G301DA06
, 5G301DA10
, 5G301DA42
, 5G301DD01
, 5G301DD03
, 5G301DE01
Patent cited by the Patent: