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J-GLOBAL ID：201503004417439845

接合材料及びそれを用いた半導体装置

Inventor：
石崎 敏孝

About 石崎 敏孝

, 
渡邉 亮太

About 渡邉 亮太


Applicant, Patent owner：
株式会社豊田中央研究所

About 株式会社豊田中央研究所


Agent (1)： 特許業務法人セントクレスト国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014015155
Publication number (International publication number)：2015141860
Application date： Jan. 30, 2014
Publication date： Aug. 03, 2015
Summary：
【課題】接合強度が高い接合層を低温(具体的には300°C以下)で形成することが可能な接合材料を提供すること。【解決手段】粒子径が1000nm以下のCu粒子からなりかつ平均粒子径が50nm〜1000nmであるCuナノ粒子と、平均粒子径が1nm〜50nmである微細CuNi合金ナノ粒子とからなる金属ナノ粒子混合物を含有しており、前記金属ナノ粒子混合物における前記微細CuNi合金ナノ粒子の含有量が0.1〜29質量%であり、かつ、前記金属ナノ粒子混合物の含有量が15質量%以上であることを特徴とする接合材料。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
粒子径が1000nm以下のCu粒子からなりかつ平均粒子径が50nm〜1000nmであるCuナノ粒子と、平均粒子径が1nm〜50nmである微細CuNi合金ナノ粒子とからなる金属ナノ粒子混合物を含有しており、前記金属ナノ粒子混合物における前記微細CuNi合金ナノ粒子の含有量が0.1〜29質量%であり、かつ、前記金属ナノ粒子混合物の含有量が15質量%以上であることを特徴とする接合材料。
IPC (5)：
H01B 1/00 ,  B22F 1/00 ,  C22C 9/06 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/52
FI (7)：
H01B1/00 L ,  B22F1/00 L ,  B22F1/00 J ,  C22C9/06 ,  H01B1/00 K ,  H01L21/60 321E ,  H01L21/52 B
F-Term (23)：
4K018BA02 ,  4K018BA04 ,  4K018BB01 ,  4K018BB03 ,  4K018BB04 ,  4K018BB05 ,  4K018BC12 ,  4K018BC29 ,  4K018BD04 ,  4K018KA32 ,  5F047AA10 ,  5F047AA11 ,  5F047BA14 ,  5F047BB13 ,  5F047BB16 ,  5F047BB18 ,  5F047BC40 ,  5G301DA06 ,  5G301DA10 ,  5G301DA42 ,  5G301DD01 ,  5G301DD03 ,  5G301DE01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (4)
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