半導体デバイス、その製造方法およびその評価方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人深見特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014066103
Publication number (International publication number)：2015191925
Application date： Mar. 27, 2014
Publication date： Nov. 02, 2015
Summary：

【課題】従来に比べて高い電子移動度を有するIII族窒化物半導体層を含む半導体デバイスを提供する。【解決手段】半導体デバイス2は、支持基板10と、第1のn型III族窒化物半導体層21と、第1のn型III族窒化物半導体層21に比べてn型キャリア濃度が低い第2のn型III族窒化物半導体層22と、を含む半導体層付基板1を含み、半導体層付基板1および半導体デバイス2の少なくとも一つについて、20K以下の温度で測定される第2のn型III族窒化物半導体層22のフォトルミネッセンススペクトルにおいて、自由励起子発光ピーク強度IFに対するアクセプタ束縛励起子発光ピーク強度IAの強度比IA/IFが0.01以下、かつ、ドナー束縛励起子発光ピーク強度IDに対するアクセプタ束縛励起子発光ピーク強度IAの強度比IA/IDが0.35以下である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

支持基板と、前記支持基板の一主面側に配置された第1のn型III族窒化物半導体層と、前記第1のn型III族窒化物半導体層上に配置されかつ前記第1のn型III族窒化物半導体層に比べてn型キャリア濃度が低い第2のn型III族窒化物半導体層と、を含む半導体層付基板を含む半導体デバイスであって、前記半導体層付基板および前記半導体デバイスの少なくとも一つについて、20K以下の温度で測定される前記第2のn型III族窒化物半導体層のフォトルミネッセンススペクトルにおいて、自由励起子発光ピーク強度IFに対するアクセプタ束縛励起子発光ピーク強度IAの強度比IA/IFが0.01以下、かつ、ドナー束縛励起子発光ピーク強度IDに対するアクセプタ束縛励起子発光ピーク強度IAの強度比IA/IDが0.35以下である半導体デバイス。

IPC (5)：

H01L 29/872 , H01L 21/66 , H01L 21/329 , H01L 29/20 , H01L 29/47

FI (7)：

H01L29/86 301Z , H01L21/66 L , H01L29/86 301P , H01L29/86 301D , H01L29/20 , H01L29/48 D , H01L29/48 P

F-Term (14)：

4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104DD34 , 4M104FF02 , 4M104FF13 , 4M104GG03 , 4M104HH20 , 4M106AA10 , 4M106AB11 , 4M106CA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

窒化物半導体装置、エピタキシャル基板および窒化ガリウム系エピタキシャル膜を形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-342605 Applicant：住友電気工業株式会社
窒化ガリウム系半導体電子デバイス、窒化ガリウム系半導体電子デバイスを作製する方法、エピタキシャル基板、及びエピタキシャル基板を作製する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-314652 Applicant：住友電気工業株式会社
窒化ガリウム系半導体膜を成長する方法、及びIII族窒化物半導体電子デバイスを作製する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-023827 Applicant：住友電気工業株式会社

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