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J-GLOBAL ID：201003010049089831

窒化ガリウム系半導体膜を成長する方法、及びIII族窒化物半導体電子デバイスを作製する方法

Inventor：
斎藤 雄

About 斎藤 雄

, 
塩見 弘

About 塩見 弘


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009023827
Publication number (International publication number)：2010182806
Application date： Feb. 04, 2009
Publication date： Aug. 19, 2010
Summary：
【課題】パーティクル起因の欠陥を低減可能な、窒化ガリウム系半導体膜を成長する方法を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体膜13の成長における(窒素原料の供給モル量)/(III族原料の供給モル量)は1250以上であり、その成長温度は摂氏1050度以上であり、その成長圧力は200Torr以上である。この条件の範囲でパワー系電子デバイスに有用なIII族窒化物半導体膜13を成長するとき、この成膜条件において(キャリアガスの流量)/((III族原料の流量)+(窒素原料の流量)+(キャリアガスの流量)+(キャリアガスの流量))が0.5以上である。この比率のキャリアガスにより反応炉10内の原料ガスを希釈できる。この希釈により、成膜中の成長炉において、基板11と異なる場所における望まれない原料消費による堆積物の生成を低減できる。また、キャリアガスが水素を含むとき、堆積物の分解が行われる。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
III族窒化物半導体膜を成長する方法であって、 ガリウム化合物を含むIII族原料、窒素原料、及びキャリアガスを成長炉に供給して、III族窒化物半導体膜を有機金属気相成長法で基板上に成長する工程を備え、 (前記キャリアガスの流量)/((前記III族原料の流量)+(前記窒素原料の流量)+(前記キャリアガスの流量))が0.5以上である、ことを特徴とする方法。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/52 ,  H01L 29/861
FI (4)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  H01L29/91 F
F-Term (37)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045DA52 ,  5F045DP03 ,  5F045DP11 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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