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J-GLOBAL ID：201003067677516392

窒化ガリウム系半導体電子デバイス、窒化ガリウム系半導体電子デバイスを作製する方法、エピタキシャル基板、及びエピタキシャル基板を作製する方法

Inventor： 塩見 弘 ,  斎藤 雄 ,  住吉 和英 ,  木山 誠
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008314652
Publication number (International publication number)：2010141037
Application date： Dec. 10, 2008
Publication date： Jun. 24, 2010
Summary：

【課題】1×1016cm-3以下のキャリア濃度の領域でキャリア補償の影響を低減可能なエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】エピタキシャル基板Eは、窒化ガリウム基板11及び窒化ガリウムエピタキシャル膜13を備える。窒化ガリウム基板11の主面11aにおいて、転位密度が1×108cm-2以下であるとき、窒化ガリウムエピタキシャル膜13中の電子トラップの密度が低減される。窒化ガリウム基板主面11aのオフ角が0.3度以上であるとき、窒化ガリウムエピタキシャル膜13は低い電子トラップの密度を有する。窒化ガリウムエピタキシャル膜13が1×1016cm-3以下のドナー濃度及び3×1015cm-3以下のアクセプタ濃度を有するので、窒化ガリウムエピタキシャル膜13における補償が低く、窒化ガリウムエピタキシャル膜に1×1016cm-3以下のキャリア濃度が提供される。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系半導体電子デバイスのためのエピタキシャル基板を作製する方法であって、 窒化ガリウム基板を準備する工程と、 前記窒化ガリウム基板を成長炉に配置した後に、前記成長炉に有機ガリウム原料及び窒素原料を供給して、1×1016cm-3以下のキャリア濃度を有する窒化ガリウムエピタキシャル膜を前記窒化ガリウム基板の主面上に成長する工程と を備え、 前記窒化ガリウム基板の前記主面の法線と前記窒化ガリウム基板のc軸との成す角度は0.3度以上であり、 前記窒化ガリウム基板の転位密度は1×108cm-2以下であり、 前記窒化ガリウムエピタキシャル膜はドナー及びアクセプタを含み、 前記ドナーはシリコンを含み、 前記シリコンの濃度は1×1016cm-3以下であり、 前記アクセプタの濃度は3×1015cm-3以下である、ことを特徴とする方法。

IPC (11)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/02 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/20

FI (9)：

H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/02 ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/91 F ,  H01L29/48 D ,  H01L21/20

F-Term (64)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EB03 ,  4G077EC09 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC03 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TC12 ,  4G077TC19 ,  4G077TK02 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030LA14 ,  4M104AA04 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF17 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AF04 ,  5F045BB14 ,  5F045CA05 ,  5F152LL05 ,  5F152LN03 ,  5F152MM18 ,  5F152NN09 ,  5F152NQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• トリメチルガリウム、その製造方法およびそのトリメチルガリウムから得られた窒化ガリウム薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-298564   Applicant：住友化学株式会社
• III族窒化物系電子デバイスおよびエピタキシャル基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-124147   Applicant：住友電気工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-238119   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所, 名古屋大学長, 科学技術振興事業団

Cited by examiner (2)

• 窒化物半導体装置、エピタキシャル基板および窒化ガリウム系エピタキシャル膜を形成する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-342605   Applicant：住友電気工業株式会社
• III族窒化物系電子デバイスおよびエピタキシャル基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-124147   Applicant：住友電気工業株式会社