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J-GLOBAL ID：201503013058948673

窒化物半導体発光素子の製造方法

Inventor： 高野 隆好 ,  椿 健治 ,  平山 秀樹 ,  藤川 紗千恵
Applicant, Patent owner： パナソニック株式会社 ,  国立研究開発法人理化学研究所
Agent (5)： 西川 惠清 ,  坂口 武 ,  北出 英敏 ,  仲石 晴樹 ,  西川 惠清
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2009104408
Publication number (International publication number)：2010258097
Patent number：5777196
Application date： Apr. 22, 2009
Publication date： Nov. 11, 2010
Claim (excerpt)：

【請求項1】 単結晶基板の一表面側にn形窒化物半導体層と窒化物半導体発光層とp形窒化物半導体層とを有し、少なくとも前記窒化物半導体発光層が、発光波長が250nm〜300nmの範囲内で設定されたAlaGabIn(1-a-b)N層(0.3≦a<1、0<b<1、1-a-b>0)からなる井戸層と、AleGafIn(1-e-f)N層(a<e<1、0<f<1、1-e-f>0)からなる障壁層と、を含む、窒化物半導体発光素子の製造方法であって、前記窒化物半導体発光層の形成にあたっては、前記単結晶基板の一表面側にMOVPE法により前記窒化物半導体発光層を成長させるにあたり、成長速度が0.09μm/hよりも小さくなる条件で成長させることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/32 ( 201 0.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 33/00 186 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 漸変組成の発光層を有する半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-342797   Applicant：フィリップスルミレッズライティングカンパニーリミテッドライアビリティカンパニー
• 半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-373224   Applicant：松下電器産業株式会社
• III族窒化物半導体素子およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-247232   Applicant：日本電信電話株式会社
• 半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-107963   Applicant：シャープ株式会社