半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999373224
Publication number (International publication number)：2000261106
Application date： Dec. 28, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 III 族窒化物半導体発光素子の量子井戸活性層に生じるピットの生成を抑制できるようにすると共に、電子及びホールの量子井戸活性層への注入効率を向上させられるようにする。【解決手段】多重量子井戸活性層15は、基板側から、膜厚が3nmでInの混晶比が0.1のGaInNからなる井戸層151が3層と、各井戸層151の間に形成され、膜厚が5nmでAlの混晶比が0.02のAlGaNからなる障壁層152と、3層目の井戸層151の上面に形成され、膜厚が5nmでAlの混晶比が0.15のAlGaNからなる保護層153とから構成されている。また、MOVPE法を用いて多重量子井戸活性層15を成長する際には、ガリウム源としてトリエチルガリウムを用いる。

Claim (excerpt)：

III -V族化合物半導体からなる半導体発光素子であって、基板上に、障壁層と該障壁層よりも狭い禁制帯幅を持つ井戸層とが交互に積層されてなる量子井戸層を備え、前記井戸層はインジウム及び窒素を含み、前記障壁層はアルミニウム及び窒素を含むことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3)：

H01S 5/343 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3)：

H01S 5/343 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-045233 Applicant：株式会社日立製作所
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-050774 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子及び半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-006679 Applicant：松下電器産業株式会社

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