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J-GLOBAL ID：201503013568956832

検量線の作成方法、不純物濃度の測定方法、及び半導体ウェハの製造方法

Inventor：
中川 聰子

About 中川 聰子

, 
鹿島 一曰兒

About 鹿島 一曰兒


Applicant, Patent owner：
グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社

About グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社


Agent (11)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  野河 信久 ,  峰 隆司 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014107545
Publication number (International publication number)：2015222801
Application date： May. 23, 2014
Publication date： Dec. 10, 2015
Summary：
【課題】半導体中の不純物濃度を高い精度で測定可能な方法を提供する。【解決手段】検量線の作成方法は、同一の半導体からなる複数の第1試料に不純物を互いに異なる量でイオン注入することと、不純物をイオン注入した第1試料の各々について、フォトルミネッセンス法により不純物に由来する発光の強度を測定して、注入した不純物の量と発光の強度との関係を求めることと、第1試料と同一の半導体からなる第2試料について、第1試料の各々に対するフォトルミネッセンス法による発光の強度測定と同じ条件のもとで、フォトルミネッセンス法により第2試料に含まれている不純物に由来する発光の強度を測定することと、上記関係と、第2試料について得られた発光の強度と、フォトルミネッセンス法以外の方法で測定した第2試料に含まれている不純物の濃度とに基づいて、不純物の濃度とこの不純物に由来する発光の強度との関係を表す検量線を作成することとを含む。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
同一の半導体からなる複数の第1試料に不純物を互いに異なる量でイオン注入することと、 前記不純物をイオン注入した前記複数の第1試料の各々について、フォトルミネッセンス法により前記不純物に由来する発光の強度を測定して、注入した前記不純物の量と前記発光の強度との関係を求めることと、 前記複数の第1試料と同一の半導体からなる第2試料について、前記複数の第1試料の各々に対するフォトルミネッセンス法による発光の強度の測定と同じ条件のもとで、フォトルミネッセンス法により前記第2試料に含まれている前記不純物に由来する発光の強度を測定することと、 前記関係と、前記第2試料について得られた発光の強度と、フォトルミネッセンス法以外の方法で測定した第2試料に含まれている前記不純物の濃度とに基づいて、前記不純物の濃度とこの不純物に由来する発光の強度との関係を表す検量線を作成することと を含んだ検量線の作成方法。
IPC (1)：
H01L 21/66
FI (1)：
H01L21/66 L
F-Term (6)：
4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA02 ,  4M106BA05 ,  4M106CA18 ,  4M106CB01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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