Pat
J-GLOBAL ID:201503015265310762
結晶性積層構造体および半導体装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2015095287
Publication number (International publication number):2015227279
Application date: May. 07, 2015
Publication date: Dec. 17, 2015
Summary:
【課題】半導体特性に優れ、特に、導電性の制御容易性に優れ、縦方向導通が可能であり、良好な電気特性を有している結晶性積層構造体を提供する。【解決手段】一軸に配向している金属を主成分として含む金属層上に、直接又は他の層を介して、結晶性酸化物半導体を主成分として含む半導体層を備えている積層構造体であって、前記結晶性酸化物半導体が、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1または2以上の金属を含む酸化物半導体であり、さらに、一軸に配向している。【選択図】なし
Claim (excerpt):
一軸に配向している金属を主成分として含む金属層上に、直接又は他の層を介して、結晶性酸化物半導体を主成分として含む半導体層を備えている結晶性積層構造体であって、前記結晶性酸化物半導体が、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1または2以上の金属を含む酸化物半導体であり、さらに、一軸に配向していることを特徴とする結晶性積層構造体。
IPC (21):
C30B 29/16
, H01L 21/365
, H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
, H01L 21/337
, H01L 29/808
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 29/872
, H01L 29/78
, H01L 29/739
, H01L 29/12
, H01L 21/28
, H01L 29/47
, H01L 29/417
, H01L 21/20
, C23C 16/40
, H01L 33/26
, H01L 29/24
, C30B 25/18
FI (24):
C30B29/16
, H01L21/365
, H01L29/80 H
, H01L29/80 V
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 619A
, H01L29/78 620
, H01L29/86 301M
, H01L29/86 301D
, H01L29/86 301E
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 618F
, H01L21/28 301B
, H01L21/28 301R
, H01L29/48 D
, H01L29/50 M
, H01L29/50 B
, H01L21/20
, C23C16/40
, H01L33/00 180
, H01L29/24
, C30B25/18
F-Term (149):
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077AA07
, 4G077BB01
, 4G077BC01
, 4G077BC60
, 4G077DA05
, 4G077DA11
, 4G077DB01
, 4G077DB08
, 4G077ED06
, 4G077EF02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077TK08
, 4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030AA18
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA11
, 4K030BA42
, 4K030BB02
, 4K030CA04
, 4K030CA05
, 4K030CA06
, 4K030CA07
, 4K030CA12
, 4K030EA01
, 4K030FA10
, 4K030HA04
, 4K030LA12
, 4M104AA03
, 4M104AA09
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104DD34
, 4M104DD37
, 4M104DD43
, 4M104FF03
, 4M104GG03
, 4M104GG04
, 4M104GG06
, 4M104GG09
, 4M104GG11
, 4M104GG12
, 4M104GG18
, 5F045AA04
, 5F045AB40
, 5F045AC07
, 5F045AC11
, 5F045AC15
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AF02
, 5F045AF07
, 5F045AF09
, 5F045AF10
, 5F045CA00
, 5F045CA05
, 5F045CA07
, 5F045CA10
, 5F045DA61
, 5F045EK06
, 5F102FB01
, 5F102GB01
, 5F102GB04
, 5F102GC01
, 5F102GC09
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ04
, 5F102GJ10
, 5F102GL11
, 5F102GT01
, 5F102GT02
, 5F102GT03
, 5F102GT04
, 5F102GT10
, 5F110CC02
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD04
, 5F110DD05
, 5F110DD06
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD17
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110GG01
, 5F110GG04
, 5F110GG06
, 5F110GG17
, 5F110GG19
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110GG58
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F152LL03
, 5F152LL05
, 5F152NN03
, 5F152NN04
, 5F152NN05
, 5F152NN13
, 5F152NN14
, 5F152NN16
, 5F152NN19
, 5F152NN20
, 5F152NN27
, 5F152NP01
, 5F152NP17
, 5F152NP27
, 5F152NQ09
, 5F241CA04
, 5F241CA22
, 5F241CA46
, 5F241CA67
, 5F241CA88
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
-
透明導電膜及びその形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-055393
Applicant:株式会社日立製作所
-
ヘテロエピタキシャルPN接合酸化物薄膜を有する積層薄膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2013-042073
Applicant:TDK株式会社
-
導電性酸化物薄膜、この薄膜を有する物品及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-202001
Applicant:ホーヤ株式会社
-
III族酸化物半導体を含む半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-101353
Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所
-
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2011-199019
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2013-212623
Applicant:ROCA株式会社
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Cited by examiner (6)
-
透明導電膜及びその形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-055393
Applicant:株式会社日立製作所
-
ヘテロエピタキシャルPN接合酸化物薄膜を有する積層薄膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2013-042073
Applicant:TDK株式会社
-
導電性酸化物薄膜、この薄膜を有する物品及びその製造方法
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Application number:特願平8-202001
Applicant:ホーヤ株式会社
-
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-101353
Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所
-
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2011-199019
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2013-212623
Applicant:ROCA株式会社
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