III族酸化物半導体を含む半導体素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007101353
Publication number (International publication number)：2007305975
Application date： Apr. 09, 2007
Publication date： Nov. 22, 2007
Summary：

【課題】禁制帯幅の制御が可能な六方晶構造を有するIII族酸化物半導体を見出し、これを含む半導体素子、光電変換素子、紫外線検出素子、酸化物発光素子、発光素子を提供することにある。【解決手段】 A2O3なる構成を有するIII族酸化物を含む半導体素子において、薄膜技術を用いてAの元素がIn、Ga、アルミニウムAl、ボロンBの少なくとも二つを固溶させた混晶半導体薄膜を有するようにした。バルクでの熱力学的固溶限界域を超えた組成での固溶体薄膜、熱力学的に不安定な六方晶構造を有する混晶薄膜を得ることが出来る。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

Aを任意の元素記号としたとき、A2O3なる構成を有すると共にAの元素がIn、Ga、アルミニウムAl、およびボロンBの少なくとも二つより成るIII族酸化物半導体を含み、禁制帯幅を変調するようにIn、Ga、アルミニウムAl、およびボロンBから選ばれる少なくとも二つの元素の組成量を変化させることを特徴とする半導体素子。

IPC (6)：

H01L 21/203 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 33/00 , H01S 5/30

FI (4)：

H01L21/203 Z , H01L29/80 H , H01L33/00 , H01S5/30

F-Term (39)：

4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA43 , 4K029BB07 , 4K029BD01 , 4K029CA02 , 4K029DB05 , 4K029DB20 , 5F041CA03 , 5F041CA46 , 5F041CA64 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GK04 , 5F102GL01 , 5F102GL04 , 5F102GM01 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01 , 5F103AA10 , 5F103BB22 , 5F103BB23 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103GG02 , 5F103HH03 , 5F103HH04 , 5F103HH08 , 5F103LL02 , 5F103LL04 , 5F103LL05 , 5F173AH40 , 5F173AP04 , 5F173AP05 , 5F173AP09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

酸化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-373856 Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司
トランジスタ及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-326889 Applicant：科学技術振興事業団
酸化物絶縁体材料およびその形成方法並びに半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-273746 Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司

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半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-154011 Applicant：株式会社光波

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