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J-GLOBAL ID：201303080033344688

ヘテロエピタキシャルPN接合酸化物薄膜を有する積層薄膜

Inventor：
前川 和也

About 前川 和也

, 
上田 国博

About 上田 国博


Applicant, Patent owner：
TDK株式会社

About TDK株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013042073
Publication number (International publication number)：2013219332
Application date： Mar. 04, 2013
Publication date： Oct. 24, 2013
Summary：
【課題】ヘテロPN接合の様に、結晶成長技術により、異種半導体を原子層レベルの急激な組成変化を示す界面で接合し、その半導体層の結晶性を良好なまま積層する手段を提案する。【解決手段】 単結晶基板2上に形成されたPN接合酸化物薄膜を有する積層薄膜であって、前記PN接合酸化物薄膜におけるN型半導体酸化物薄膜6及びP型半導体酸化物薄膜7が(00k)で表されるC軸配向にエピタキシャル成長した、ヘテロエピタキシャルPN接合酸化物薄膜を有する積層薄膜1による。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
単結晶基板上に形成されたPN接合酸化物薄膜を有する積層薄膜であって、前記PN接合酸化物薄膜におけるN型半導体酸化物薄膜及びP型半導体酸化物薄膜が(00k)で表されるC軸配向にエピタキシャル成長していることを特徴とするヘテロエピタキシャルPN接合酸化物薄膜を有する積層薄膜。
IPC (3)：
H01L 21/363 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/20
FI (4)：
H01L21/363 ,  C23C14/08 N ,  C23C14/08 K ,  H01L21/20
F-Term (61)：
4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB08 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH08 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK04 ,  5F103KK05 ,  5F103KK10 ,  5F103LL01 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103LL04 ,  5F103LL12 ,  5F103LL14 ,  5F103LL20 ,  5F103NN01 ,  5F103NN05 ,  5F103NN06 ,  5F103NN10 ,  5F103PP13 ,  5F103PP15 ,  5F103PP18 ,  5F103RR05 ,  5F103RR06 ,  5F152CC04 ,  5F152LL03 ,  5F152LL04 ,  5F152LL05 ,  5F152LL07 ,  5F152LL08 ,  5F152LL09 ,  5F152LL10 ,  5F152MM02 ,  5F152MM07 ,  5F152MM08 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152MM11 ,  5F152MM12 ,  5F152MM13 ,  5F152NN03 ,  5F152NN10 ,  5F152NN12 ,  5F152NN27 ,  5F152NP12 ,  5F152NQ01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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