電子デバイス及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：國分孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014067104
Publication number (International publication number)：2015191975
Application date： Mar. 27, 2014
Publication date： Nov. 02, 2015
Summary：

【課題】極性制御が可能なグラフェンのチャネル層を用いて、信頼性の高い高性能のトランジスタを実現する。【解決手段】それぞれ相異なる修飾基で端部が終端された複数のグラフェン11,12が接合されてなるチャネル層14と、チャネル層14上にゲート絶縁膜15を解して形成されたゲート電極16と、チャネル層14上に形成されたソース電極17及びドレイン電極18とを備えてトランジスタが構成される。【選択図】図12

Claim (excerpt)：

それぞれ相異なる修飾基で端部が終端された複数のグラフェンが接合されてなるチャネル層と、前記チャネル層の上方に形成された電極とを含むことを特徴とする電子デバイス。

IPC (6)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40 , C01B 31/02

FI (7)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618Z , H01L29/78 622 , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E , H01L29/28 310E , C01B31/02 101Z

F-Term (39)：

4G146AA01 , 4G146AA15 , 4G146AB07 , 4G146AD30 , 4G146BA12 , 4G146BB06 , 4G146BB11 , 4G146BB23 , 4G146BC03 , 4G146BC33B , 4G146CB12 , 4G146CB13 , 4G146CB19 , 4G146CB21 , 4G146CB32 , 5F110BB13 , 5F110CC10 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG58 , 5F110HJ30 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110QQ14 , 5F110QQ17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

グラフェントランジスタ及び電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-020277 Applicant：富士通株式会社
グラフェンシート系材料の形成方法およびグラフェンシート系材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-177851 Applicant：富士通株式会社
トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-054853 Applicant：株式会社東芝

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