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J-GLOBAL ID:201503016665559498 MEMSセンサ
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (3):
杉村 憲司
, 齋藤 恭一
, 岡野 大和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2013223626
Publication number (International publication number):2015087129
Application date: Oct. 28, 2013
Publication date: May. 07, 2015
Summary:
【課題】近接覚計測及び触覚計測を単一のMEMSセンサで検出する技術を提供する。【解決手段】近接覚計測及び触覚計測用のMEMSセンサ(1)であって、透光性弾性部材(4)と、透光性弾性部材(4)に埋め込まれた少なくとも1つの検知素子(5)と、を有し、検知素子(5)は、半導体層(52)上に絶縁層(53)を介して設けられた2つの端子(54A、54B)と、半導体層(52)に端部が接続され、透光性弾性部材(4)に対する物体の接触に応じて変形するカンチレバー(55)と、カンチレバー(55)上に設けられ、2つの端子(54A、54B)に各端部が接続されたひずみゲージ(56)と、を備え、2つの端子(54A、54B)間の直流抵抗の変化に基づき接触力を検知し、2つの端子(54A、54B)間の交流インピーダンスの変化に基づき近接を検知することを特徴とする。【選択図】図3
Claim (excerpt):
近接覚計測及び触覚計測用のMEMSセンサであって、
透光性弾性部材と、
前記透光性弾性部材に埋め込まれた少なくとも1つの検知素子と、
を有し、前記検知素子は、
半導体層上に絶縁層を介して設けられた2つの端子と、
前記半導体層に端部が接続され、前記透光性弾性部材に対する物体の接触に応じて変形するカンチレバーと、
前記カンチレバー上に設けられ、前記2つの端子に各端部が接続されたひずみゲージと、を備え、前記2つの端子間の直流抵抗の変化に基づき接触力を検知し、前記2つの端子間の交流インピーダンスの変化に基づき近接を検知することを特徴とするMEMSセンサ。
IPC (4):
G01D 21/02
, B81B 3/00
, G01L 1/18
, G01B 7/14
FI (4):
G01D21/02
, B81B3/00
, G01L1/18 A
, G01B7/14
F-Term (20):
2F063AA22
, 2F063BA22
, 2F063CA34
, 2F063GA03
, 2F076BA01
, 2F076BD01
, 2F076BD17
, 2F076BE01
, 2F076BE02
, 3C081AA11
, 3C081BA22
, 3C081BA43
, 3C081BA48
, 3C081BA77
, 3C081CA02
, 3C081CA13
, 3C081CA26
, 3C081DA02
, 3C081DA10
, 3C081EA03
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