窒化アルミニウム結晶の製造方法及び製造装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：小池晃 , 伊賀誠司 , 藤井稔也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014069918
Publication number (International publication number)：2015189650
Application date： Mar. 28, 2014
Publication date： Nov. 02, 2015
Summary：

【課題】Ga-Al合金融液を用いてシード基板上にAlN結晶をエピタキシャル成長させる液相成長法において、安定して良質な窒化アルミニウム結晶を得る。【解決手段】Ga-Al合金融液6にN原子を含有するガスを供給する供給口2bと対向する位置にシード基板4が配置され、供給口2bとシード基板4との間のGa-Al合金融液6にガスを一時的に滞留させてシード基板4上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Ga-Al合金融液にN原子を含有するガスを供給する供給口と対向する位置にシード基板が配置され、該供給口と該シード基板との間の該Ga-Al合金融液に該ガスを一時的に滞留させて該シード基板上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする窒化アルミニウム結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 , C30B 19/10 , H01L 21/208

FI (3)：

C30B29/38 C , C30B19/10 , H01L21/208 D

F-Term (25)：

4G077AA03 , 4G077BE13 , 4G077CG02 , 4G077CG07 , 4G077EC08 , 4G077EC09 , 4G077EG03 , 4G077EG11 , 4G077EG23 , 4G077EG24 , 4G077EG25 , 4G077HA02 , 4G077QA04 , 4G077QA12 , 4G077QA26 , 4G077QA34 , 4G077QA54 , 5F053AA03 , 5F053BB04 , 5F053BB57 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053HH05 , 5F053PP03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

III-V族化合物半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-350259 Applicant：日立電線株式会社
窒化アルミニウム結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-050415 Applicant：住友金属鉱山株式会社, 国立大学法人東北大学
III族金属窒化物結晶を用いた半導体発光素子およびこのIII族金属窒化物結晶の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-415008 Applicant：松下電工株式会社, 森勇介

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