III族金属窒化物結晶を用いた半導体発光素子およびこのIII族金属窒化物結晶の製法

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：小谷悦司 , 植木久一 , 伊藤孝夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003415008
Publication number (International publication number)：2005175276
Application date： Dec. 12, 2003
Publication date： Jun. 30, 2005
Summary：

【課題】本発明の目的は、表面に凹凸の少ないIII族金属の窒化物結晶を製造できる方法を提供することにある。本発明の他の目的は、こうした製法で得られたIII族金属の窒化物結晶を基材として用いた半導体発光素子を提供することにある。【解決手段】反応容器内で、III族金属から選ばれる少なくとも1種と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属よりなる群から選ばれる2種以上とを混合した融液に、種結晶を浸漬し、前記融液と窒素を接触させることにより前記種結晶表面にIII族金属の窒化物結晶を製造する方法であって、前記種結晶の表面近傍における前記融液の停滞を回避するように操業する。

Claim (excerpt)：

反応容器内で、 III族金属から選ばれる少なくとも1種と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属よりなる群から選ばれる2種以上とを混合した融液に、種結晶を浸漬し、前記融液と窒素を接触させることにより前記種結晶表面にIII族金属の窒化物結晶を製造する方法であって、前記種結晶の表面近傍における前記融液の停滞を回避するように操業することを特徴とするIII族金属窒化物結晶の製法。

IPC (4)：

H01L21/208 , C30B19/02 , C30B29/38 , H01L33/00

FI (4)：

H01L21/208 D , C30B19/02 , C30B29/38 D , H01L33/00 C

F-Term (35)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077CC04 , 4G077CG01 , 4G077CG02 , 4G077CG06 , 4G077EE06 , 4G077EE08 , 4G077EG07 , 4G077EG12 , 4G077EG14 , 4G077HA02 , 4G077QA01 , 4G077QA04 , 4G077QA12 , 4G077QA27 , 4G077QA54 , 4G077QA58 , 4G077QA74 , 4G077QA75 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA53 , 5F041CA56 , 5F041CA57 , 5F053AA03 , 5F053AA44 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053HH04 , 5F053LL01 , 5F053RR20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-237195 Applicant：株式会社リコー

Cited by examiner (6)

III族窒化物基板の製造方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-075103 Applicant：松下電器産業株式会社, 森勇介
半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-028753 Applicant：三洋電機株式会社
単結晶の製造方法、単結晶および複合体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-328543 Applicant：日本碍子株式会社

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