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J-GLOBAL ID：201503020330923525

ガラス基板内に金属層を埋設する方法、金属層が埋設されたガラス基板を製造する方法、及び、金属層が埋設されたガラス基板

Inventor： 松坂 壮太 ,  前原 直友 ,  森田 昇 ,  比田井 洋史 ,  千葉 明
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 千葉大学
Agent (1)： 高橋 昌義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014132494
Publication number (International publication number)：2015180584
Application date： Jun. 27, 2014
Publication date： Oct. 15, 2015
Summary：

【課題】ガラス基板の面方向に沿って金属層を埋設する方法及びガラス基板を提供すること。【課題を解決するための手段】 本発明の一の観点に係るガラス基板内に金属層を埋設する方法は、金属が接触して配置されたガラス基板に、第一の電圧を印加した後、前記第一の電圧とは符号の異なる第二の電圧を印加することを特徴とする。また、本観点に係る金属は、金属薄膜であり、この金属薄膜は、限定されるわけではないが、銀及び銅の少なくともいずれかを含むことが好ましい。また、本観点に係るガラス基板は、限定されるわけではないが、アルカリ金属イオンを含むことが好ましい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

金属に接触して配置されたガラス基板に、第一の電圧を印加した後、前記第一の電圧とは符号の異なる第二の電圧を印加する、ガラス基板内に金属層を埋設する方法。

IPC (3)：

C03C 21/00 ,  H01L 23/15 ,  H05K 3/20

FI (3)：

C03C21/00 A ,  H01L23/14 C ,  H05K3/20 Z

F-Term (18)：

4G059AA08 ,  4G059AB05 ,  4G059AB17 ,  4G059AC08 ,  4G059AC11 ,  4G059HB05 ,  4G059HB17 ,  4G059HB18 ,  5E343AA26 ,  5E343AA34 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB28 ,  5E343BB67 ,  5E343DD55 ,  5E343FF07 ,  5E343GG20

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 電界を利用したガラスの表面改質技術
• 固体イオン交換法によるレーザ加工用ガラスの開発
• Laser micro-machinability of borosilicate glass surface-modified by electric field-assisted ion-exch

Cited by examiner (3)

• 電界を利用したガラスの表面改質技術
• 固体イオン交換法によるレーザ加工用ガラスの開発
• Laser micro-machinability of borosilicate glass surface-modified by electric field-assisted ion-exch