半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人ゆうあい特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014091098
Publication number (International publication number)：2015211103
Application date： Apr. 25, 2014
Publication date： Nov. 24, 2015
Summary：

【課題】フローティングゲート電極から2DEG層に電荷が抜けることを抑制する。【解決手段】フローティングゲート電極8に第1絶縁膜7または第2絶縁膜9を介して負の電荷を注入する電荷注入電極13を備える。そして、第1絶縁膜7のうちの第1電極11と第2電極12との間の電流経路となる2DEG層6aを生成する第2半導体層4とフローティングゲート電極8との間に位置する部分の厚さT2を、電荷注入電極13から第1絶縁膜7または第2絶縁膜9のうちのフローティングゲート電極8に蓄積させる電荷が通過する電荷注入領域7b、9eの厚さT1、T4より厚くする。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1半導体層(3)と、前記第1半導体層とヘテロ接合されることによって前記第1半導体層に2次元電子ガス層(6a)を生成する第2半導体層(4a)と、を有する基板(5)と、前記基板上に形成された第1絶縁膜(7)と、前記第1絶縁膜上に形成され、負の電荷を蓄積するフローティングゲート電極(8)と、前記フローティングゲート電極を覆う第2絶縁膜(9)と、前記第2絶縁膜を介して前記フローティングゲート電極上に配置されたコントロールゲート電極(10)と、前記基板上に形成された第1電極(11)と、前記基板上に形成された第2電極(12)と、を備えるノーマリオフ型の半導体装置において、前記フローティングゲート電極に前記第1絶縁膜または前記第2絶縁膜を介して負の電荷を注入する電荷注入電極(13)を有し、前記第1絶縁膜のうちの前記第1電極と前記第2電極との間の電流経路となる前記2次元電子ガス層を生成する前記第2半導体層と前記フローティングゲート電極との間に位置する部分の厚さ(T2)は、前記電荷注入電極から前記第1絶縁膜または前記第2絶縁膜のうちの前記フローティングゲート電極に蓄積させる負の電荷が通過する電荷注入領域(7b、9e)の厚さ(T1、T4)より厚くされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 29/78 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (9)：

H01L29/80 F , H01L29/80 H , H01L29/78 617J , H01L29/78 618E , H01L29/78 617N , H01L29/78 301B , H01L29/78 301G , H01L29/78 301X , H01L29/78 371

F-Term (63)：

5F101BA12 , 5F101BA24 , 5F101BA35 , 5F101BB02 , 5F101BC03 , 5F101BD17 , 5F101BD39 , 5F101BD40 , 5F101BG10 , 5F102GC10 , 5F102GD10 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GR04 , 5F102GS01 , 5F102GS03 , 5F102GS09 , 5F110BB08 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE24 , 5F110EE27 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG04 , 5F110GG19 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F140AA06 , 5F140AC32 , 5F140AC36 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BD18 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE11 , 5F140BF04 , 5F140BF41 , 5F140BF43 , 5F140BG27 , 5F140BG28 , 5F140BG38 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK29 , 5F140BK30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体装置及び半導体装置の動作方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-060192 Applicant：ルネサスエレクトロニクス株式会社
特開昭57-157573
電界効果半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-034946 Applicant：サンケン電気株式会社

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Cited by examiner (4)

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