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J-GLOBAL ID：200903030418675570

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

Inventor：
原 雅人

About 原 雅人


Applicant, Patent owner：
サンケン電気株式会社

About サンケン電気株式会社


Agent (6)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007148811
Publication number (International publication number)：2008305819
Application date： Jun. 05, 2007
Publication date： Dec. 18, 2008
Summary：
【課題】寄生容量を低減化,カップリング容量比を向上し、書き込み/消去電圧を低圧化できる。【解決手段】pウェル領域2と、n+領域5と6間のウェル領域に跨ってゲート絶縁膜12を介して形成された選択ゲート電極(SG)と、n+領域6と接するドレイン電極Dとからなる選択トランジスタと、n+領域1と、n+領域5と電気的に接続し、n+領域1と離間するn+領域4と、n+領域1の上のトンネル絶縁膜8と、n+領域1からn+領域4の上面に跨って形成されたゲート絶縁膜12と、ゲート絶縁膜よりも厚い選択絶縁膜10と、トンネル絶縁膜,ゲート絶縁膜,および選択絶縁膜上のフローティングゲート電極(FG)と、選択絶縁膜上に形成され、FGと側方で対向して形成されたコントロールゲート電極(CG)とからなるメモリトランジスタと、選択絶縁膜を挟んでFGと対向するフローティングのn+領域1が形成される不揮発性半導体記憶装置および製造方法。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1導電型を有する半導体基板と、 前記半導体基板の上面に露出するように前記半導体基板の内側に形成され、第1導電型と異なる第2導電型を有する第1半導体領域と、 前記半導体基板の上面に露出するように前記半導体基板の内側に形成され、前記半導体基板上に第2導電型を有し、前記第1半導体領域と離間して形成された第2半導体領域と、 前記第1半導体領域と前記第2半導体領域との間の前記半導体基板の上面に跨って形成され、第1絶縁膜を介して形成された選択ゲート電極と、 前記第2半導体領域と低抵抗接続する第1電極とからなる選択トランジスタ部と、 前記半導体基板の上面に露出するように前記半導体基板の内側に形成され、第2導電型を有する第3半導体領域と、 前記半導体基板の上面に露出するように前記半導体基板の内側に形成され、前記半導体基板上に第2導電型を有し、前記第1半導体領域および前記第3半導体領域と離間して形成された第4半導体領域と、 前記第3半導体領域の上に局所的にトンネル効果を生じることができる厚みの第2絶縁膜と、 前記第3半導体領域から前記第4半導体領域の上面に跨って前記第2絶縁膜の形成された領域を除く領域に形成され、前記第2絶縁膜よりも厚い第3絶縁膜と、 前記第3絶縁膜における前記第2絶縁膜と異なる側に形成され、前記半導体基板の上面に前記第3絶縁膜よりも厚い第4絶縁膜と、 前記第2絶縁膜から前記第3絶縁膜そして前記第4絶縁膜の上へと形成された第2電極と、 前記第4絶縁膜の上に形成され、前記第2電極と側方で対向して形成された第3電極とからなるメモリトランジスタ部 とを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2)：
H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371
F-Term (57)：
5F083EP08 ,  5F083EP13 ,  5F083EP14 ,  5F083EP22 ,  5F083EP23 ,  5F083EP30 ,  5F083EP33 ,  5F083EP48 ,  5F083EP52 ,  5F083EP53 ,  5F083EP56 ,  5F083EP62 ,  5F083ER03 ,  5F083ER05 ,  5F083ER14 ,  5F083ER15 ,  5F083ER21 ,  5F083GA03 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA22 ,  5F083GA23 ,  5F083GA24 ,  5F083GA28 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083KA01 ,  5F083LA16 ,  5F083LA21 ,  5F083PR25 ,  5F101BA03 ,  5F101BA12 ,  5F101BA24 ,  5F101BA26 ,  5F101BA29 ,  5F101BA34 ,  5F101BA36 ,  5F101BB02 ,  5F101BB05 ,  5F101BB06 ,  5F101BB17 ,  5F101BC02 ,  5F101BC07 ,  5F101BD02 ,  5F101BD04 ,  5F101BD05 ,  5F101BD06 ,  5F101BD22 ,  5F101BD37 ,  5F101BD40 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF08 ,  5F101BH11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (5)
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