窒化アルミニウム結晶の製造方法及び製造装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：小池晃 , 伊賀誠司 , 藤井稔也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014069923
Publication number (International publication number)：2015006975
Application date： Mar. 28, 2014
Publication date： Jan. 15, 2015
Summary：

【課題】Ga-Al合金融液を用いてシード基板上にAlN結晶をエピタキシャル成長させる液相成長法において、安定して良質な窒化アルミニウム結晶を得る。【解決手段】Ga-Al合金融液5中において、N原子を含有するガスを供給する供給口1b側にシード基板3が配置されるように保持プレート4を浸漬させ、Ga-Al合金融液5中のシード基板3上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Ga-Al合金融液中において、N原子を含有するガスを供給する供給口側にシード基板が配置されるように該シード基板を保持プレートで保持し、該シード基板上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする窒化アルミニウム結晶の製造方法。

IPC (1)：

C30B 29/38

FI (1)：

C30B29/38 C

F-Term (9)：

4G077AA03 , 4G077BE13 , 4G077CC04 , 4G077ED06 , 4G077EG03 , 4G077EG05 , 4G077EG14 , 4G077EG23 , 4G077LA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

窒化アルミニウム結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-050415 Applicant：住友金属鉱山株式会社, 国立大学法人東北大学
III族金属窒化物結晶を用いた半導体発光素子およびこのIII族金属窒化物結晶の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-415008 Applicant：松下電工株式会社, 森勇介
シリコン結晶の液相成長方法、太陽電池の製造方法及びシリコン結晶の液相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-294897 Applicant：キヤノン株式会社

Show all

Return to Previous Page