半導体装置、超伝導装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：池上徹真 , 須藤章 , 松山允之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013192900
Publication number (International publication number)：2015060908
Application date： Sep. 18, 2013
Publication date： Mar. 30, 2015
Summary：

【課題】層状物質に空間選択的に層間物質が存在する半導体装置、超伝導装置とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置100は、2次元状の物質を2層以上積層させた層状物質2を有し、層状物質は、第1層間物質11を層状物質の層間に有するp型領域を有し、p型領域の端部と隣接する導電性領域Bを有し、導電性領域上に、封止部材3を有し、導電性領域の層状物質と導電性領域上の封止部材の距離は、第1層間物質の直径よりも小さい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

2次元状の物質を2層以上積層させた層状物質を有し、前記層状物質は、第1層間物質を前記層状物質の層間に有するp型領域と第2層間物質を前記層状物質の層間に有するn型領域の少なくともいずれかの領域を有し、前記層状物質は、前記p型領域と前記n型領域のうちの少なくともいずれかと隣接する前記第1層間物質及び前記第2層間物質を含まない導電性領域を有し、前記導電性領域上、又は、前記導電性領域上及び前記層状物質の端部に、封止部材を有し、前記導電性領域の層状物質と前記導電性領域上の封止部材の距離は、前記第1層間物質及び前記第2層間物質のうちの最小直径を有する物質の直径よりも小さいことを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 29/06 , H01L 29/861 , H01L 29/868 , H01L 29/786 , H01L 29/167 , H01L 39/22 , H01L 39/12

FI (7)：

H01L29/06 601N , H01L29/91 C , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/167 , H01L39/22 A , H01L39/12 Z

F-Term (22)：

4M113AA08 , 4M113AA18 , 4M113AA19 , 4M113AA27 , 4M113AA30 , 4M113AA37 , 4M113BA29 , 4M113BC07 , 4M113BC09 , 4M113CA39 , 5F110AA01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG19 , 5F110GG28 , 5F110HJ16 , 5F110HJ17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

グラフェン膜と金属電極とが電気的接合した回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-289350 Applicant：株式会社日立製作所
電極およびそれを含む電子素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-118698 Applicant：浦項工科大学校産学協力団
接続構造及びその製造方法、半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2014-066715 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

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